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저주파 필터에 있어서, 상기 저주파 필터의 입력단과 상기 저주파 필터의 출력단 사이에 연결되는 소용량 커패시터와, 상기 소용량 커패시터의 출력단에 입력되어 전류원으로 동작하는 다이나믹 저항특성의 트랜지스터로 이루어진 능동 저항부를 구비하여 입력된 신호를 필터링하여 저주파 신호를 차단하는 필터 회로(110A)와; 상기 필터 회로(110A)의 능동 저항부에 연결되어 상기 능동 저항부와 같은 구조의 전류원으로 동작하는 다이나믹 저항 특성의 트랜지스터에 의해 상기 필터회로의 출력전압이 되는 상기 능동 저항부의 출력전압을 부궤환하여 상기 필터회로의 출력 바이어스 전압을 조절하는 바이어스 회로(110B)를 포함하여 반도체칩에 내장되는 것을 특징으로 하는 저주파 차단 필터
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제1항에 있어서, 상기 필터 회로(110A)는, 상기 입력단자와 출력단자 사이에 연결되는 커패시터(C31)와; 상기 커패시터(C31)의 출력단에 각 드레인이 연결되고, 각 소오스가 공급전압(Vdd)과 접지(Gnd)에 접속되는 두 개의 트랜지스터(Q31, Q32)로 구성되고, 상기 바이어스 회로(110B)는, 상기 두 개의 트랜지스터(Q31, Q32)와 같은 전류량이 흐르게 하고 출력 바이어스 전압이 같아지도록 상기 두 개의 트랜지스터(Q31, Q32)의 각 게이트에 게이트가 공통으로 연결되고, 그 트랜지스터(Q31, Q32)의 각 소오스에 소오스가 공통으로 연결되며, 각 드레인이 다른 하나의 노드로 연결되는 두 개의 트랜지스터(Q33, Q34)와; 상기 트랜지스터(Q33, Q34) 각각의 드레인의 연결점인 노드(32)가 (+)단자에 연결되고, 원하는 출력 바이어스 전압이 (-)단자에 입력되며, 출력전압이 상기 트랜지스터(Q32, Q34)의 게이트에 부궤환을 걸어주기 상기 노드(32)의 전압이 원하는 출력 바이어스 전압으로 맞추어지도록 하는 앰프(A3)와; 상기 노드(32)에 발생하는 잡음을 제거하기 위해 상기 앰프(A3)의 (+)단자와 접지(Gnd)간에 연결되는 잡음제거용 커패시터(C32)와; 드레인 접지사이에 연결된 전류원(Idc_3)을 통해 전류를 공급하기 위해, 게이트와 드레인이 연결되고, 소오스가 상기 트랜지스터(Q33)의 소오스에 연결되는 트랜지스터(Q35)와; 상기 트랜지스터(Q31, Q32)의 각각의 게이트와 드레인 사이에 존재하는 기생 커패시터에 의한 출력 저항의 영향을 줄이기 위해 상기 트랜지스터(Q33)와 트랜지스터(Q35)의 게이트 사이에 연결되는 버퍼로 구성된 것을 특징으로 하는 저주파 차단 필터
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제2항에 있어서, 상기 필터 회로에서 각 트랜지스터(Q31, Q32)의 드레인에 각각 소오스가 연결되고, 각 드레인이 상기 커패시터(C31)의 출력단에 연결되는 두 개의 트랜지스터(Q511, Q521)와, 상기 바이어스 회로에서 상기 각 트랜지스터(Q33, Q34)의 드레인에 각각 소오스가 연결되고, 각 드레인이 한 노드로 연결되며, 상기 각 트랜지스터(Q511, Q521)의 게이트에 각 게이트가 연결되어, 이 게이트들에 상기 각 트랜지스터(Q31, Q33)와 각 트랜지스터(Q32, Q34)가 능동영역에서 동작하도록 하기 위한 서로 다른 전압(VB51, VB52)이 공급되는 두 개의 트랜지스터(Q531, Q541)가 부설되어, 상기 필터 회로의 저항 부분이 캐스코드 구조를 갖추어서 더욱 낮은 차단 주파수를 가질 수 있는 것을 특징으로 하는 저주파 차단 필터
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제1항에 있어서, 상기 필터 회로(110A)는, 앰프의 출력단과 전압 출력단 사이에 연결되는 커패시터(C61)와; 상기 커패시터(C61)의 출력이 (-)단자에 입력되고, 입력전압이 (+)단자에 입력되어 상기 커패시터(C61)의 등가적인 값을 증가시키는 앰프(A61)와; 상기 커패시터(C61)의 출력단에 각 드레인이 한 노드로 연결되고, 각 소오스가 공급전압(Vdd)과 접지(Gnd)에 접속되는 두 개의 트랜지스터(Q61, Q62)로 구성되고, 상기 바이어스 회로(110B)는, 상기 두 개의 트랜지스터(Q61, Q62)와 같은 전류량이 흐르게 하고 출력전압이 같아지도록 상기 두 개의 트랜지스터(Q61, Q62)의 각 게이트에 각 게이트가 공통으로 연결되고, 그 트랜지스터(Q61, Q62)의 각 소오스에 각 소오스가 공통으로 연결되며, 각 드레인이 공통으로 연결되는 두 개의 트랜지스터(Q63, Q64)와; 상기 트랜지스터(Q63, Q64) 각각의 드레인의 연결점인 노드(62)가 (+)단자에 연결되고, 원하는 출력 바이어스 전압이 (-)단자에 입력되며, 출력전압이 상기 트랜지스터(Q62, Q64)의 게이트에 부궤환을 걸어주어 상기 노드(62)의 전압이 원하는 출력 바이어스 전압으로 맞추어지도록 하는 앰프(A62)와; 상기 노드(62)에서 발생하는 잡음을 제거하기 위해 상기 앰프(A62)의 (+)단자와 접지(Gnd)간에 연결되는 커패시터(C62)와; 드레인과 접지사이에 연결된 전류원(Idc_6)을 통해 전류를 공급하기 위해, 게이트와 드레인이 연결되고, 소오스가 상기 트랜지스터(Q63)의 소오스에 연결되는 트랜지스터(Q65)로 구성된 것을 특징으로 하는 저주파 차단 필터
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저주파 필터에 있어서, 상기 저주파 필터의 입력단과 상기 저주파 필터의 출력단 사이에 연결되어 전류원으로 동작하는 다이나믹 저항 특성의 트랜지스터에 의해 그 출력전압을 부궤환하고 그 입력전압에 의거하여 출력 전압을 조절하여 필터의 출력 바이어스 전압을 가변적으로 조절하는 바이어스 회로(150A)와; 상기 바이어스 회로(150A)에 의해 그 출력 바이어스 전압이 조절되며 상기 바이어스 회로(150A)와 같은 구조의 전류원으로 동작하는 다이나믹 저항특성의 트랜지스터를 구비하는 능동 저항부와, 상기 능동 저항부와 GND 사이에 연결되는 소용량 커패시터에 의해 입력된 신호를 필터링하여 저주파 신호만을 통과시키는 필터회로(150B)를 포함하여 반도체칩에 내장되는 것을 특징으로 하는 저주파 통과 필터
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제5항에 있어서, 상기 바이어스 회로(150A)는, 드레인이 서로 연결되고, 소오스가 각각 전원(Vdd)과 접지(Gnd)에 연결되어 전류원으로 동작하는 두 개의 트랜지스터(Q73, Q74)와; (-)단자에 입력되는 입력전압을 받아서 이 입력전압과 동일한 전압을 상기 트랜지스터(Q74)의 게이트에 출력하는 앰프(A7)와; 상기 앰프(A7)의 (+)단자와 접지(Gnd) 사이에 연결되어 잡음을 제거하는 커패시터(C72)와; 상기 트랜지스터(Q73)의 게이트와 게이트가 연결되고, 드레인과 게이트가 연결되고, 그 드레인에 전류원(Idc_7)이 연결되며, 소오스가 전원(Vdd)에 연결되어 상기 트랜지스터(Q73, Q71)에 전류를 공급하기 위한 트랜지스터(Q75)로 구성되고, 상기 필터 회로(150B)는, 상기 두개의 트랜지스터(Q73, Q74)와 동일한 구조로 되어 같은 전류가 흐르도록 상기 트랜지스터(Q73, Q74)의 게이트에 각 게이트가 연결되고, 소오스 각각이 전원(Vdd)과 접지(Gnd)에 연결되고, 드레인이 서로 연결되는 능동저항의 역할을 하는 두 개의 트랜지스터(Q71, Q72)와; 상기 두 개의 트랜지스터(Q71, Q72)의 드레인이 연결되는 출력노드(71)에 연결되고, 상기 출력단자와 접지(Gnd) 사이에 연결되는 커패시터(C71)로 구성되어, 저주파만을 통과시키는 것을 특징으로 하는 저주파 통과 필터
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제6항에 있어서, 상기 트랜지스터(Q73, Q71) 및 상기 트랜지스터(Q74, Q72)는 전류 미러 회로로서 동작하는 것을 특징으로 하는 저주파 통과 필터
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제6항에 있어서, 상기 커패시터(C71)의 등가적인 값을 증가시키기 위해 커패시터(C71) 양단에 인버터형 앰프(A82)가 부설된 것을 특징으로 하는 저주파 통과 필터
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