1 |
1
제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 것;상기 반도체 기판의 상기 제2 영역에 선택적 에피택시얼 성장 공정을 이용하여 실리콘 단결정막을 형성하는 것;상기 실리콘 단결정막을 이용하여 광 결합기를 형성하는 것; 및상기 반도체 기판의 상기 제1 영역에 선택적 에피택시얼 성장 공정을 이용하여 게르마늄 단결정막을 포함하는 레이저 코어 구조체를 형성하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판 상의 상부 실리콘층, 및 상기 실리콘 기판과 상기 상부 실리콘층 사이의 매립 산화층을 포함하되,상기 실리콘 단결정막은 상기 상부 실리콘층을 시드로 하여 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
|
3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 실리콘 단결정막을 형성하는 것은:상기 상부 실리콘층 상에, 상기 광 결합기가 형성될 영역을 정의하고 상기 상부 실리콘층의 상면의 일부를 노출하는 제1 개구부를 갖는 제1 마스크 패턴을 형성하는 것; 및상기 제1 개구부 내에 상기 실리콘 단결정막을 형성한 후, 상기 제1 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
|
4 |
4
청구항 2에 있어서,상기 실리콘 단결정막을 이용하여 광 결합기를 형성하는 것은:상기 실리콘 단결정막을 건식 식각하여 상부 광 결합기를 형성하는 것; 및상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 하부 광 결합기를 형성하는 것을 포함하되,상기 상부 광 결합기와 상기 하부 광 결합기는 수직적으로 중첩되도록 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
|
5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 광 도파로를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 하부 광 결합기와 상기 광 도파로는 동시에 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
|
6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 상부 광 결합기의 일단 및 상기 하부 광 결합기의 일단은 평면적 관점에서 테이퍼진 형상으로 형성되고, 상기 하부 광 결합기의 상기 일단은 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저의 제조방법
|
7 |
7
청구항 2에 있어서,상기 실리콘 단결정막을 이용하여 광 결합기를 형성하는 것은:상기 실리콘 단결정막을 습식 식각하여 상부 광 결합기를 형성하는 것; 및상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 하부 광 결합기를 형성하는 것을 포함하되,상기 상부 광 결합기와 상기 하부 광 결합기는 수직적으로 중첩되도록 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
|
8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 광 도파로를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 하부 광 결합기와 상기 광 도파로는 동시에 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
|
9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 상부 광 결합기의 일단 및 상기 하부 광 결합기의 일단은 평면적 관점에서 테이퍼진 형상으로 형성되고, 상기 하부 광 결합기의 상기 일단은 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저의 제조방법
|
10 |
10
청구항 9에 있어서,상기 상부 광 결합기의 상기 일단은 수직적 관점에서 테이퍼진 형상으로 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
|
11 |
11
제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판 구조체;상기 기판 구조체의 상기 제1 영역 상에 배치되고, 단결정 구조의 게르마늄을 포함하는 레이저 소자;상기 기판 구조체의 상기 제2 영역 상에 배치되고, 단결정 구조의 실리콘을 포함하는 광 결합기; 및상기 기판 구조체의 상기 제2 영역 상에 배치되고, 상기 광 결합기를 사이에 두고 상기 레이저 소자로부터 이격된 광 도파로를 포함하되,상기 광 도파로에 인접한 상기 광 결합기의 일단은 상기 광 도파로 방향으로 테이퍼진 형상을 가지고, 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저
|
12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 레이저 소자는:상기 기판 구조체 상의 상부 실리콘층;상기 상부 실리콘층 상의 보호막; 및상기 상부 실리콘층과 상기 보호막 사이의 레이저 코어 구조체를 포함하되
|
13 |
13
청구항 12에 있어서,상기 광 결합기는 차례로 적층된 하부 광 결합기와 상부 광 결합기를 포함하되,상기 상부 광 결합기는 상기 단결정 구조의 실리콘을 포함하고,상기 하부 광 결합기는 상기 광 도파로와 동일한 물질을 포함하고, 상기 하부 광 결합기의 상면은 상기 광 도파로의 상면과 공면을 이루는 반도체 레이저
|
14 |
14
청구항 13에 있어서,상기 광 도파로에 각각 인접한 상기 하부 광 결합기의 일단 및 상기 상부 광 결합기의 일단은 평면적 관점에서 상기 광 도파로 방향으로 테이퍼진 형상을 가지고,상기 하부 광 결합기의 상기 일단은 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저
|
15 |
15
청구항 14에 있어서,상기 상부 광 결합기의 상기 일단은 수직적 관점에서 상기 광 도파로 방향으로 테이퍼진 형상을 갖는 반도체 레이저
|