맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 레이저 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015088513
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 레이저의 제조방법이 제공된다. 반도체 레이저의 제조방법은, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 것, 상기 반도체 기판의 상기 제2 영역에 선택적 에피택시얼 성장 공정을 이용하여 실리콘 단결정막을 형성하는 것, 상기 실리콘 단결정막을 이용하여 광 결합기를 형성하는 것, 및 상기 반도체 기판의 상기 제1 영역에 선택적 에피택시얼 성장 공정을 이용하여 게르마늄 단결정막을 포함하는 레이저 코어 구조체를 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130146375 (2013.11.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0062231 (2015.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김인규 대한민국 대전 유성구
2 김상훈 대한민국 대전광역시 서구
3 박재규 대한민국 대전 유성구
4 김경옥 대한민국 대전 유성구
5 장기석 대한민국 대전 대덕구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1089738-59
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048858-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 것;상기 반도체 기판의 상기 제2 영역에 선택적 에피택시얼 성장 공정을 이용하여 실리콘 단결정막을 형성하는 것;상기 실리콘 단결정막을 이용하여 광 결합기를 형성하는 것; 및상기 반도체 기판의 상기 제1 영역에 선택적 에피택시얼 성장 공정을 이용하여 게르마늄 단결정막을 포함하는 레이저 코어 구조체를 형성하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판 상의 상부 실리콘층, 및 상기 실리콘 기판과 상기 상부 실리콘층 사이의 매립 산화층을 포함하되,상기 실리콘 단결정막은 상기 상부 실리콘층을 시드로 하여 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 실리콘 단결정막을 형성하는 것은:상기 상부 실리콘층 상에, 상기 광 결합기가 형성될 영역을 정의하고 상기 상부 실리콘층의 상면의 일부를 노출하는 제1 개구부를 갖는 제1 마스크 패턴을 형성하는 것; 및상기 제1 개구부 내에 상기 실리콘 단결정막을 형성한 후, 상기 제1 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 실리콘 단결정막을 이용하여 광 결합기를 형성하는 것은:상기 실리콘 단결정막을 건식 식각하여 상부 광 결합기를 형성하는 것; 및상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 하부 광 결합기를 형성하는 것을 포함하되,상기 상부 광 결합기와 상기 하부 광 결합기는 수직적으로 중첩되도록 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 광 도파로를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 하부 광 결합기와 상기 광 도파로는 동시에 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 상부 광 결합기의 일단 및 상기 하부 광 결합기의 일단은 평면적 관점에서 테이퍼진 형상으로 형성되고, 상기 하부 광 결합기의 상기 일단은 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저의 제조방법
7 7
청구항 2에 있어서,상기 실리콘 단결정막을 이용하여 광 결합기를 형성하는 것은:상기 실리콘 단결정막을 습식 식각하여 상부 광 결합기를 형성하는 것; 및상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 하부 광 결합기를 형성하는 것을 포함하되,상기 상부 광 결합기와 상기 하부 광 결합기는 수직적으로 중첩되도록 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 제2 영역의 상기 상부 실리콘층을 건식 식각하여 광 도파로를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 하부 광 결합기와 상기 광 도파로는 동시에 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 상부 광 결합기의 일단 및 상기 하부 광 결합기의 일단은 평면적 관점에서 테이퍼진 형상으로 형성되고, 상기 하부 광 결합기의 상기 일단은 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 상부 광 결합기의 상기 일단은 수직적 관점에서 테이퍼진 형상으로 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
11 11
제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판 구조체;상기 기판 구조체의 상기 제1 영역 상에 배치되고, 단결정 구조의 게르마늄을 포함하는 레이저 소자;상기 기판 구조체의 상기 제2 영역 상에 배치되고, 단결정 구조의 실리콘을 포함하는 광 결합기; 및상기 기판 구조체의 상기 제2 영역 상에 배치되고, 상기 광 결합기를 사이에 두고 상기 레이저 소자로부터 이격된 광 도파로를 포함하되,상기 광 도파로에 인접한 상기 광 결합기의 일단은 상기 광 도파로 방향으로 테이퍼진 형상을 가지고, 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저
12 12
청구항 11에 있어서,상기 레이저 소자는:상기 기판 구조체 상의 상부 실리콘층;상기 상부 실리콘층 상의 보호막; 및상기 상부 실리콘층과 상기 보호막 사이의 레이저 코어 구조체를 포함하되
13 13
청구항 12에 있어서,상기 광 결합기는 차례로 적층된 하부 광 결합기와 상부 광 결합기를 포함하되,상기 상부 광 결합기는 상기 단결정 구조의 실리콘을 포함하고,상기 하부 광 결합기는 상기 광 도파로와 동일한 물질을 포함하고, 상기 하부 광 결합기의 상면은 상기 광 도파로의 상면과 공면을 이루는 반도체 레이저
14 14
청구항 13에 있어서,상기 광 도파로에 각각 인접한 상기 하부 광 결합기의 일단 및 상기 상부 광 결합기의 일단은 평면적 관점에서 상기 광 도파로 방향으로 테이퍼진 형상을 가지고,상기 하부 광 결합기의 상기 일단은 상기 광 도파로에 연결되는 반도체 레이저
15 15
청구항 14에 있어서,상기 상부 광 결합기의 상기 일단은 수직적 관점에서 상기 광 도파로 방향으로 테이퍼진 형상을 갖는 반도체 레이저
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09231372 US 미국 FAMILY
2 US20150146755 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015146755 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9231372 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI연구개발지원사업) 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술