수직결합형 광필터에 있어서,

n-형 InP 기판(21)과;

상기 n-형 InP 기판(21)위에 두께 0

제 1 항에 있어서,

전류주입 또는 전계효과에 의한 결합광의 파장변화가 가능하도록 광필터의 윗면에 p-형 전극을, 광필터의 아래면에 n-형 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 사이드로브가 제어된 격자도움 수직결합형 광필터

제 1 항에 있어서,

상기 n-형 InGaAsP 격자층 주기는,

TE 편광에 대응되는 격자주기와 TM-편광에 대응되는 격자주기를 이중으로 동시에 형성하여 편광에 독립적이도록 구성된 것을 특징으로 하는 사이드로브가 제어된 격자도움 수직결합형 광필터

InP 기판 위에 제 1도파로를 구성하는 물질인 InGaAsP를 유기금속 기상증착법(OMVPE)의 방법으로 성장하고 1∼3 ㎛의 폭을 갖도록 패턴화하는 공정과;

그 위에 InP층과 격자층을 성장하고 격자층만 10∼40 ㎛의 주기를 갖도록 패턴화하는 공정과;

그 위에 증착한 유전체 박막을 패턴화하는 공정과;

그 위에 선택영역성장법으로 InP를 성장하되 공간적으로 두께를 제어하는 공정과;

그 위에 제2도파로 구성물질인 InGaAsP층을 성장한 후 1∼5 ㎛의 폭을 갖도록 스트라잎 형상으로 패턴화하여 제2도파로(67)를 형성하는 단계와;

그 위에 전면 InP를 성장하여 사이드로브를 제어하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 사이드로브가 제어된 격자도움 수직결합형 광필터의 제조 방법

제 4 항에 있어서,

상기 유전체 박막을 패턴화하는 공정은,

유전체 박막을 광필터의 가운데에 해당하는 곳의 폭이 좁게, 광필터의 끝부분에 해당하는 곳의 폭이 넓게 되도록 패턴을 형성하고, 선택영역 성장법에 의하여 두께를 제어하는 공정을 특징으로 하는 사이드로브가 제어된 격자도움 수직결합형 광필터의 제조 방법