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수소화된 수직공진형 표면방출 레이저 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015088563
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 종래의 수직공진형 레이저는 소자 분리 공정시 공진기를 식각하거나, 불순물을 활성층에 주입하는 방법과 습식 산화처리 방법 등을 사용하고 있으나, 이러한 방법은 표면으로의 누설전류가 심각하게 증가하여 문턱전류를 증가시키고 출력 특성이 크게 저하되거나, 단일 모드 발진 특성을 도출해 내는데 한계가 있었다. 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저의 공진기 식각 후 수소 프라즈마 분위기에서 수소화 처리하여 소자를 효과적으로 분리함으로써 낮은 문턱전류 및 단일 모드 발진 특성의 수직공진형 표면방출 레이저를 구현하고자 한다.수소화 처리, 수직공진형, 표면방출 레이저, 문턱 전류, 단일 모드 발진
Int. CL H01S 5/183 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960062146 (1996.12.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243656-0000 (1999.11.17)
공개번호/일자 10-1998-0044117 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
2 유병수 대한민국 대전광역시 서구
3 박효훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207729-59
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207728-14
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207730-06
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207731-41
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.06.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1996-0207732-97
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168818-15
7 의견서
Written Opinion		 1999.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1999-5275923-81
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.07.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5275924-26
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0312222-15
10 FD제출서
FD Submission		 1999.11.17 수리 (Accepted) 2-1-1999-5194155-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

(2차 정정)

화합물 반도체 기판 상에 하부거울층, 활성층 및 상부거울층을 차례로 형성하는 제1 단계;

상기 화합물 반도체 기판의 배면에 무반사막을 형성하는 제2 단계;

상기 무반사막 가장자리의 소정 부위를 선택적 식각하고, 제1 전극을 형성하는 제3 단계;

상기 상부거울층 상부에 레이저 방출부 형성을 위해 상기 상부거울층의 일부를 선택 식각하는 제4 단계;

상기 제4 단계에서 형성된 돌출부의 상면 및 측면을 수소화 보호막으로 덮는 제5 단계;

상기 제5 단계 수행 후 노출된 잔류 상부거울층 및 상기 활성층의 일부를 식각하는 제6 단계;

상기 수소화 보호막을 이용한 선택적인 수소화 처리를 실시하여 노출된 상기 상부거울층 및 상기 활성층의 일부에 비활성화 영역을 형성하는 제7 단계;

상기 돌출부 상면의 상기 수소화 보호막을 식각하여 상기 상부거울층을 노출시키는 제8 단계;

상기 돌출부 사이의 간극에 절연막을 매립하여 평탄화를 이루는 제9 단계; 및

노출된 상기 상부거울층에 접촉되는 제2 전극을 형성하는 제10 단계

를 포함하여 이루어진 수직공진형 표면방출 레이저 제조방법

2 2

(정정)

제1항에 있어서,

상기 절연막이,

폴리이미드막인 것을 특징으로 하는 수직공진형 표면방출 레이저 제조방법

3 3

(정정)

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 수소화 보호막이,

실리콘산화막 또는 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 수직공진형 표면방출 레이저 제조방법

4 4

(2차 정정)

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 비활성화 영역이,

0

5 5

(정정)

제4항에 있어서,

상기 제7 단계가,

10-4Torr 내지 1Torr 압력의 수소 플라즈마 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수직공진형 표면방출 레이저 제조방법

6 6

(정정)

제5항에 있어서,

상기 제7 단계가,

250℃ 내지 400℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수직공진형 표면방출 레이저 제조방법

7 7

(정정)

제6항에 있어서,

상기 제7 단계가,

0

8 8

그 공진기의 일부에 전기적으로 비활성화된 영역을 포함하여 이루어진 수직공진형 표면방출 레이저에 있어서,

상기 비활성화된 영역이 수소화된 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 수직공진형 표면방출 레이저

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US5773319 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.