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전계 방출 소자의 캐소드 팁 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015088596
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 인가된 전계에 의하여 전자를 방출하는 캐소드 팁의 제조 방법에 관한 것이다.일반적으로 전계 방출 소자의 캐소드 팁은 그 끝을 뾰족한 원추형으로 만들기 위하여 고온 열산화 공정으로 제조된다. 그러므로 가격이 저렴하고 면적이 넓은 유리와 같은 소재를 기판으로 사용할 수 없을 뿐더러, 공정 조건에 따라 캐소드 팁의 모양이 다르게 형성되는 단점이 있다.본 발명에서는 열산화 공정 대신 이온이 주입된 실리콘층의 선택적 식각 방법을 이용하여 캐소드 팁을 제조함으로, 저온에서 진행되는 안정적이고 균일한 전계 방출 소자의 제조 방법을 제시한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970058524 (1997.11.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0250458-0000 (2000.01.04)
공개번호/일자 10-1999-0038696 (1999.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시 서구
2 조경익 대한민국 대전광역시 유성구
3 이진호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184799-95
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184800-54
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184801-00
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0374767-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

절연성 기판 상부에 도전층 및 실리콘층을 순차로 증착하는 단계와,

상기 실리콘층 상부의 선택된 영역에 질화막 패턴을 형성한 후, 이를 마스크로 하여 상기 실리콘층의 식각 공정을 진행하되, 등방성 식각 실시 후 비등방성 식각을 실시하여 상기 실리콘층이 원기둥을 가진 원추형으로 형성되도록 하는 단계와,

상기 질화막 패턴 제거 후, 식각된 실리콘층에 이온 주입 공정을 실시하고, 이온이 주입된 실리콘층을 습식 식각 공정으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 캐소드 팁 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 절연성 기판은 산화막, 질화막, 석영 및 유리중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 캐소드 팁 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 이온 주입 공정은 기판을 회전 시켜 이온이 등방적으로 주입되도록 하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 캐소드 팁 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 이온 주입 공정에 사용되는 불순물 이온은 인, 비소, 및 붕소 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 캐소드 팁 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 습식 식각 공정은 불산, 초산 및 질산을 혼합한 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 캐소드 팁 제조 방법

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1 US6069018 US 미국 DOCDBFAMILY
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