반 절연성 화합물 반도체 기판(7)과;

이 반도체 기판(7) 상에 형성되고 최대 광흡수를 갖는 여기 흡수 파장대의 레이저 광(31)을 일정한 세기로 측면 방출하는 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)와;

상기 반도체 기판(7)상에 광학적 활성층이 상기 레이저 광을 수광할 수 있도록 형성되고 그 측면방출 반도체 레이저 다이오드(110)로부터 방출된 레이저 광(31)에 의해 광전류 전압 특성이 부저항 특성을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하여 광학적 활성층을 전기적으로 진동시킴으로써 상기 일정하게 입사되는 광신호의 흡수율에 변화를 주어 전기적 진동 주파수(5)와 동일한 주파수로 변조된 광신호(32)를 출력하는 도파형 PIN 다이오드(120)로 구성된 것을 특징으로 하는 광- 유기 전기-광학 오실레이터

제 1 항에 있어서,

상기 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)는

레이저 발진을 위한 상기 도파형 PIN 다이오드(120) 구동 전원(4)과는 독립된 측면방출 반도체 레이저 다이오드 전원(26a)과;

p 형 금속전극층(21)과;

n형 금속전극층(22)과; 및

상기 금속 전극층들(21, 22) 사이에 형성되고 각 금속 전극층(21, 22)에 상기 전원(26a) 인가시에 레이저 광을 측면 방출하는 측면 방출 레이저 다이오드 활성층(34)으로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 1 항에 있어서,

상기 도파형 PIN 다이오드(120)는

상기 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)에서 조사된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압특성이 부저항을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하기 위해 상기 측면방출 반도체 레이저 다이오드(110)와는 독립된 도파형 PIN 다이오드 구동 전원(4)과;

상부에 위치한 n형 오믹 금속 패드층(14)과;

하부에 위치한 p형 오믹 금속 패드층(15)과;

상기 n형 및 p형 전극(14, 15) 사이에 형성되고 이 금속 전극(14, 15)에 인가된 정전압에 의해 발생된 자체 진동 교류신호(5)에 의해 유도된 전계변화에 의한 광 흡수율의 변화를 주어 상기 일정하게 입사되는 레이저 광(31)을 변조시킨 광신호(32)를 출력하는 광흡수 다중양자우물 중간층(12)으로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 1 항에 있어서,

상기 도파형 PIN 다이오드(120)는 광전류-전압의 부저항 특성을 향상시키기 위해 병렬로 다이오드가 부설되는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 3 항에 있어서,

상기 PIN 다이오드의 중간층(12)은 이종접합 화합물 반도체 다중양자우물층인 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,

상기 도파형 PIN 다이오드(120)는 진동주파수 및 진폭을 조절하기 위해 상기 중간층(12) 구성물질의 두께비율 및 조성이 조절되고, 그 반도체 전극의 불순물 도우핑 및 물질의 조성이 조절되는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 1 항에 있어서,

상기 광 유기 전기광학 오실레이터는 기판 수평방향으로 병렬 광신호를 생성하기 위해 상기 기판 표면에 어레이 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

반 절연성 화합물 반도체 기판(7)과;

상기 반도체 기판(7) 상에 형성되고 최대 광흡수를 갖는 여기 흡수 파장대의 레이저 광(31)을 일정한 세기의 수직 방향으로 방출하는 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)와;

상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210) 상에 수직 전개 집적화를 위해 칩 본딩 방법으로 접합되고, 상기 표면 방출 반도체 레이저 다이오드(210)의 레이저 광(31)을 수광할 수 있도록 광학적 활성층이 형성되며, 그 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)로부터 수직 방출된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압이 부저항 특성을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하여 상기 광학적 활성층을 진동시킴으로써 상기 일정하게 입사되는 광신호의 흡수율에 변화를 주어 전기적 진동 주파수(5)와 동일한 주파수로 변조된 광신호(32)를 출력하는 수직형 PIN 다이오드(220)로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 8 항에 있어서,

상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)는

반 절연성 반도체 기판(7)에 광흡수를 높이기 위해 순차로 적층된 p형 하부 거울층(23), 표면방출 반도체 레이저 다이오드 활성층(24) 및 n형 상부 거울층(25)과;

상기 n형 상부 거울층(25) 상면과 상기 수직형 PIN 다이오드에 칩 본딩되는 접합부(6) 사이에 형성되는 p형 금속 전극층(21)과;

상기 p형 하부 거울층(23) 하면에 형성되는 n형 금속 전극층(22)과; 및

상기 광학적 활성층으로 여기 흡수 파장을 갖는 레이저 광(31)을 방출하기 위해 상기 p형 금속 전극층(21)과 n형 금속 전극층(22)에 전원을 인가하는 표면방출 반도체 레이저 다이오드 전원(26b)으로 구성된 것을 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 8 항에 있어서,

상기 수직형 PIN 다이오드(220)는

상기 표면 방출 반도체 레이저 다이오드 (210)에서 조사된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압특성이 부저항을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하기 위해 상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)와는 독립된 수직형 PIN 다이오드 구동 전원(4)과;

하부에 위치하고 n형 전극층(13)에 부분적으로 형성된 n형 오믹 금속 패드층(14)과;

상부에 위치하고 p형 전극층(11)에 부분적으로 형성된 p형 오믹 금속 패드층(15)과; 및

상기 n형 및 p형 오믹 금속 패드층(14, 15)에 수직형 PIN 다이오드 구동전원(4b)을 인가하여 그 정전압에 의해 발생된 자체 진동 교류신호(5)에 의해 유도된 전계변화에 의한 광 흡수율의 변화를 주어 상기 일정하게 입사되는 레이저 광(31)을 변조시킨 광신호(32)를 출력하는 광흡수 다중양자우물 중간층(12)으로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 10 항에 있어서,

상기 PIN 다이오드의 중간층(12)은 이종접합 화합물 반도체 다중양자우물층인 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 8 항 또는 제 11 항에 있어서,

상기 수직형 PIN 다이오드(220)는 진동주파수 및 진폭을 조절하기 위해 상기 중간층(12) 구성물질의 두께비율 및 조성이 조절되고, 그 반도체 전극의 불순물 도우핑 및 물질의 조성이 조절되는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터

제 8 항에 있어서,

상기 광 유기 전기광학 오실레이터는 기판 수평방향으로 병렬 광신호를 생성하기 위해 상기 기판 표면에 어레이 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터