다중칩모듈 MCM-D 패키지에 있어서,

칩이 장착된 MCM-D 기판을 세라믹기판의 위에 장착하여 세라믹기판을 패키지의 베이스 재료로 사용하고, 상기 MCM-D 기판을 수지로 엔캡슐레이션 하는 것을 특징으로 하는 다중칩모듈 MCM-D의 패키지 구조

제 1 항에 있어서, 상기 세리막 기판에 관통홀을 형성하고, 그 관통홀에 전도체를 충진시켜 상기 MCM-D기판의 패드와 와이어 본딩하며, 그 세라믹 기판의 외부에 노출되는 전도체의 패드에 범프를 형성하여 패키지의 리드로 구성하는 것을 특징으로 하는 다중칩모듈 MCM-D의 패키지 구조

제 1항에 있어서, 세라믹기판의 크기는 MCM-D 기판의 에지보다 1mm 크게 구성하여 전체적인 다중칩모듈 MCM-D의 크기를 최소화 시키는 것을 특징으로 하는 다중칩 모듈 MCM-D의 패키지 구조

MCM-D 기판(20) 크기에 맞추어 제작된 세라믹 기판(10)에 관통홀(through hole)(4)을 뚫고 전도체 물질을 스크린하는 제1공정과,

세라믹기판(10) 밑면에 상기 관통홀의 전도체 단부에 범프(5)를 형성하는 제2공정과,

베어 칩(30) 및 수동소자가 실장된 MCM-D 기판(20)을 세라믹기판(10) 위에 장착시키고 베어칩(30) 및 수동소자와 MCM-D 기판(20)의 패드들을 와이어 본딩하고, 그 MCM-D기판(20)의 패드와 상기 세라믹 기판(10)의 관통홀에 충진된 전도체의 패드를 와이어 본딩하여 어셈블리화하는 제3공정과,

상기 세라믹 기판(10) 상부의 MCM-D 기판(20)을 엔캡술레이션 하는 제4공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중칩 모듈 MCM-D의 패키지 제조방법