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저매늄을컬렉터로사용하는규소이종접합쌍극자트랜지스터장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015088627
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저매늄을 컬렉터로 사용하는 규소이종접합 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 p형 실리콘기판상에 n+형 저매늄층(21)을 형성하는 공정과, 상기 저매늄층(21)상에 저매늄층(22)과 규소저매늄(23)을 순차 형성하는 공정과, 상기 저매늄층(22)과 규소저매늄층(23)을 이용하여 식각하여 켈렉터와 베이스 영역을 정의하는 공정과, 상기 규소저매늄의 베이스영역위에 순차적으로 규스에미터(24)와 규소에미터 접촉층(25)을 형성하는 공정과, 이어, 각 전극막을 형성하는 공정을 포함한다.
Int. CL H01L 29/68 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019910024259 (1991.12.24)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0082487-0000 (1995.02.17)
공개번호/일자 10-1993-0015047 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019940010914 (19941119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염병렬 대한민국 대전직할시중구
2 강상원 대한민국 대전직할시중구
3 이경수 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132423-74
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132421-83
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132422-28
4 특허출원서
Patent Application		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132420-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063894-40
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132425-65
7 의견서
Written Opinion		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132424-19
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063895-96
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063896-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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p형 실리콘기판상에 n+형 저매늄층(21)을 형성하는 공정과, 상기 저매늄층(21)상에 저매늄층(22)과 규조저매늄층(23)을 순차 형성하는 공정과, 상기 저매늄층(22)과 규소저매늄층(23)을 식각하여 컬렉터와 베이스영역을 정의하는 공정과, 상기 규소저매늄의 베이스영역위에 순차적으로 규소에미터(24)와 규소에미터접촉층(25)을 형성하는 공정과, 이어, 각 전극막을 형성하는 공정을 포함하는 저매늄을 컬렉터로 사용하는 규소이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.