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반절연성GaAs기판(8)우에 이종접합의 다층 에피구조를 형성하기 위하여 버퍼층(7), 부콜렉터층(6) 콜렉터층(5), 베이스층(4), 스페이서층(3), 에미터층(2) 및 캡층(1)을 순차적으로 형성하는 공정, 상기 캡층(1)상부에 미세패턴의 에미터(9)를 형성하되, 미세한 크기를 갖는 에미터 전극(9a)과, 에미터 패드(9b)그리고 상기 에미터 전극 (9a)과 에미터 패드(9b)를 전기적으로 연결하는 금속 배선(9c)을 하나의 마스크로 구성하여 동시에 증착하는 에미터 형성 공정, 상기 베이스층(4)을 노출시키기 위해 상기 형성된 에미터(9)를 마스크로 하여 상기 캡층(1), 에미터층(2), 스페이서층(3)을 식각하는 에미터 메사식각 공정, 상기 노출된 베이스층(4)표면 위에 베이스전극(11a)이 상기 에미터전극(9a)을 둘러싸도록 베이스(11)를 형성하되, 상기 베이스 전극(11a)과, 베이스패드(11b)그리고 상기 베이스전극(11a)과 베이스패드(11b)를 전기적으로 연결하는 금속배선(11c)을 하나의 마스크로 구성하여 동시에 증착하는 베이스형성 공정, 상기 부콜렉터층(6)의 일부를 노출시키기 위해 상기 베이스층(4) 및 콜렉터층(5)을 식각하되, 상기 콜렉터층(5)은 2단계로 나누어 1단계 식각은 상기 콜렉터층(5)의 중간부까지만 식각하고,2단계 식각은 부콜렉터층(6)의 일부만 노출되도록 상기 콜렉터층(5)을 일부 식각하는 베이스 메사식각 공정, 상기 노출된 부콜렉터층(6) 표면위에 콜렉터(12)를 형성하되, 상기 콜렉터전극(12a)과, 콜렉터패드(12b)그리고, 상기 콜렉터전극 (12a)과 콜렉터패드(12b)를 전기적으로 연결하는 금속배선(12c)을 하나의 마스크로 구성, 하여 동시 증착하는 콜렉터 형성공정 및 소자분리(isolation)을 위해 전류된 콜렉터층(5)과 부콜렉터층(6) 및 버퍼층(7)을 측방향 과식각에 의해 식각하여, 상기 에미터(9)와 베이스(11)과 콜렉터(12)의 금속배선들(9c,11c,12c)하부에 빈공간(14)이 형성되도록하는 메사식각 공정을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에미터 메사 식각 공정은 상기 에미터,베이스,콜렉터의 전극(9a,11a,12a)과 패드(9b,11b,12b)를 전기적으로 연결하는 금속배선들(9c,11c,12c)이 공정증에 파손되는 것을 방지하기 위하여 상기 금속배선들의 소정위치에 파손방지를 위한 지지수단(9d,11d,12d)을 미리 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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