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광 신호를 전기신호로 변환되는 제 1 금속층들과, 광도파로의 양단 및 상기 광 도파로를 통해 전달되는 광신호를 흡수하는 성장부의 소정 영역에 도핑된 영역들과 상기 도핑된 영역들 및 상기 제 1 금속층 사이에 형성되는 제 1 비아들과, 광 신호를 전기신호로 변환되는 제 2 금속층들과, 상기 제 1 금속층들 및 상기 제 2 금속층 사이에 형성되는 제 2 비아들로 형성됨을 특징으로 하는 수광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 광도파로와 성장부는에바네센트 결합(evanescent coupling) 또는 버트 커플링됨을 특징으로 하는 수광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 광도파로는실리콘으로 생성됨을 특징으로 하는 수광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 성장부는게르마늄으로 생성됨을 특징으로 하는 수광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 비아 및 제 2 비아가 일직선을 이루도록 동일한 위치에 형성됨을 특징으로 하는 수광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 비아와 제 2 비아가 서로 어긋나게 위치됨을 특징으로 하는 수광 소자
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제 6항에 있어서, 상기 제 1 비아들 간의 이격 거리는 제 2 비아 크기이고, 제 2 비아들 간의 이격 거리는 제 1 비아의 크기임을 특징으로 하는 수광 소자
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