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가변구조를 갖는 난수발생기 논리회로에 있어서, 외부주변 회로로부터의 데이터 저장 제어신호, 클럭신호, MLSR의 차수 N을 가지는 가변 테이핑 데이터를 각각 입력받아 상기 가변 테이핑 데이터를 병렬 데이터로 변환하여 출력하는 가변 테이핑 데이터 저장부(2)와; 최종수열인 난수수열을 생성하기 위하여 난수생성 회로를 변경하는 궤환신호, 초기화 데이터, 난수 발생 제어 신호 및 클럭을 입력받아 N차 MLSR 난수발생기가 되도록 하여 난수수열 발생구조를 변경하는 난수발생부(3); 및 상기 난수발생부(3)의 출력수열을 가변 테이핑 데이터 저장부(2)의 출력열로 마스크하여 테이핑에 필요한 출력수열만 얻고, 마스크된 출력수열들을 통해 상기 난수발생부(3)로 입력되는 궤환신호로 생성하며 상기 난수발생부(3)의 출력을 상기 가변 테이핑 데이터 저장부(2)의 출력값에 따라 마스크하는 가변 테이핑 로직제어부(4)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변구조를 갖는 난수발생기 논리회로
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제1항에 있어서, 상기 테이핑 데이터 저장부(2)는, 데이터 저장 제어 신호와, 난수 발생에 요구되는 클럭신호를 입력받으며 각각 서로 직렬연결된 다수의 제1D-플립플롭(U10,U11,U12); 및 상기 데이터 저장 제어 신호, 난수발생에 요구되는 클럭신호 및 가변 테이핑 데이터가 입력되는 제2D-플립플롭(U8)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변구조를 갖는 난수발생기 논리회로
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제1항에 있어서, 난수발생부(3)는 초기값, 상기 가변 테이핑이 로직 제어부의 궤환신호 및 초기값 저장 신호를 각각 입력받는 멀티플렉서(U21)와; 데이터 저장 제어 신호와, 난수 발생에 요구되는 클럭신호를 입력받으며 각각 서로 직렬연결된 다수의 제3D-플립플롭(U23,U24,U25); 및 상기 데이터 저장 제어 신호, 난수발생에 요구되는 클럭신호, 상기 멀티플렉서(U21)의 출력을 입력받는 제4D-플립플롭(22)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변구조를 갖는 난수발생기 논리회로
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제1항에 있어서, 가변 테이핑 로직제어부(4)는 상기 가변 테이핑 데이터 저장부(2)의 출력(C1,C2,C3,C4,C5)과 난수발생부(3)의 출력(R1,R2,R3,R4,R5)을 각각 일측단에 입력받는 논리곱 처리수단(U13,U14,U15,U16,U17)과 상기 논리곱 처리수단(U13,U14,U15,U16,U17)의 출력을 받는 제1배타적 논리합 처리수단(U18,U19)과 상기 제1 배타적 논리합 처리수단(U18,U19)의출력을 입력받아 상기 궤환신호를 생성하는 제2 배타적 논리합 처리수단(U20)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변구조를 갖는 난수발생기 논리회로
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