n+매몰층(2)이 형성된 p형 실리콘 기판(1)에 상에 n-에피택셜층(3), 완충용 산화막(4), 질화막(5), 다결정 실리콘막(6) 및 저온증착 산화막(7)을 순차 형성하는 공정과, 상기 n-에피택셜층(3)으로 된 활성영역(9)을 정의한 다음 그 이외분분을 식각하여 상기 활성영역(9) 상에만 상기 산화막(4)과 질화막(5) 및 다결정 실리콘막(6)이 남게하고, 아울러 열산화막(8)과 절연산화막(10)의 증착 및 식각으로 상기 활성영역(9)의 측벽상에 측벽산화막(11) 및 콜렉터 접촉용 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구를 충진하면서 콜렉터 전극용 n+다결정 실리콘층(12)을 도포한 다음 그 위에 실리사이드층(13)과 저온증착 산화막(14)을 형성하고, 이어 소정 패턴의 제1감광막(15)과 제2감광막(16)을 순차 도포한 다음 평탄화 하는 공정과, 상기 남아 있는 감광막(16, 15)과 저온증착 산화막(14)을 건식식각으로 제거한 다음 상기 실리사이드층(13), n+다결정 실리콘층(12), 다결정 실리콘막(6) 및 질화막(5)을 선택적으로 순차 식각하고, 상기 n+다결정 실리콘층(12)의 노출된 부분에 열산화막(14a)을 선택적으로 형성하여 상기 n+다결정 실리콘층(12)이 다른 전극과 절연되게 하는 공정과, 이어, p+다결정 실리콘층(17)과 실리사이드층(18)을 순차 형성한 다음 소정 패턴을 갖도록 식각하고 아울러 저온증착 산화막(19)을 상기 실리사이드층(18) 상에 성장하여 에미터 전극을 정의하는 공정과, 상기 활성영역(9) 상에 있는 노출된 산화막(4)을 식각하여 제거한 다음 n+다결정 실리콘층을 도포하고, 이어 열처리를 수행하여 활성영역(9)내로의 불순물 확산으로 활성 및 비활성영역(21,23)을 형성하는 공정과, 상기 n+다결정 실리콘층을 소정 패턴으로 식각하여 에미터 전극(24)을 형성하는 공정과, 저온증착 산화막(25)의 증착 및 식각으로 전극 접촉 개구를 형성하는 다음 금속배선으로 금속전극(27∼29)을 형성하는 공정을 포함하는 PSA 바이폴라 소자의 제조 방법