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반도체 기판(2)상에 n형 하부 DBR 거울층(3), n형 스페이서(4), 활성층(5), p형 스페이서(6), p형 접촉층(10) 및 상부 DBR 거울층(12)을 차례로 적층하는 공정과, 소정 패턴의 포토레지스트(11)를 상기 상부 DBR 거울층(12)상에 도포한 다음 페터닝하고, 남은 포토레지스트(11)를 마스크로 사용하여 노출된 부분을 순차적으로 상기 p형 접촉층(10)의 표면까지 식각하는 공정과, 상기 포토레지스트(11)를 마스크로 사용하여 이온주입으로 광 창문을 위한 영역으로 활성층(5)을 고립시키기 위한 분리영역(7)을 형성하는 공정과, 상기 p형 접촉층(10)의 표면과 상기 포토레지스트(11)가 형성된 상부 DBR 거울층(12)의 측면에 p형 전극(9)을 형성하고 아울러 상기 기판(2)의 배면에 n형 전극(1)을 형성한 후, 상기 상부 DBR 거울층(12)의 상부에 있는 p형 전극층 및 포토레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 수직 공진형 표면 방출 레이저 다이오드 소자의 제조방법
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하부전극(1)이 형성된 기판(2)상에 소정두께의 하부 DBR 거울층(3)과, 그 하부 DBR 거울층(3)의 상면 중앙영역에 광 창문을 위한 폭으로 형성된 활성층(5)과, 그 활성층(5)의 들레에 양자 이온이 주입되어 광 창문영역을 구분하는 분리영역(7)과, 그 분리영역(7)과 상기한 활성층(5)의 상부에 형성된 p형 스페이서(6)와, 그 p형 스페이서(6)의 위에 형성된 p형 접촉층(10)과, 그 p형 접촉층(10)의 위에 상기 활성층(5)의 폭과 대응되게 상부에 형성되어 광 창문을 이루는 p형 상부 DBR층(12)과, 그 상부 DBR층(12)의 들레의 상기 p형 접촉층(10) 상면에 형성된 p형 전극(9)으로 구성된 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 방출 레이저 다이오드
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