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미세진공소자의음극제조방법

  • 기술번호 : KST2015088710
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단위면적당 전류밀도를 증가시키기 위한 미세 진공소자의 음극제조방법에 관한 것으로, 기판(1)위에 다결정규소(2)를 증착하여 생기는 요철 표면의 돌출부를 식각하여 전자방출 가능표면을 증대시키는 것이 특징이다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1019920025022 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0127980-0000 (1997.10.28)
공개번호/일자 10-1994-0016351 (1994.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019970011489 (19970711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안근영 대한민국 서울특별시은평구
2 강원구 대한민국 대전광역시 대덕구
3 강성원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135896-05
2 출원심사청구서
Request for Examination
1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135898-96
3 특허출원서
Patent Application
1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135894-14
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135895-59
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135897-40
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135899-31
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1995.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045199-49
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1995.05.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135900-01
9 의견서
Written Opinion
1995.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135902-92
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1995.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135901-46
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1995.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045200-19
12 심사전치출원의 심사결과보고서
Notice of Result of Reexamination
1995.12.21 수리 (Accepted) 1-5-1992-0045202-00
13 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135903-37
14 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1997.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045203-45
15 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135904-83
16 등록사정서
Decision to grant
1997.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045204-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

전자방출을 위한 음극을 갖는 미세진공소자의 제조 방법에 있어서, 기판(1) 위에 단결정 규소 미세결정과 상기 미세결정 사이의 비정질 규소로 이루어지며 표면은 미세 결정이 비정질 규소에 의해 매립되거나, 또는, 일부가 노출된 불순물이 도핑된 다결정 규소(2)를 저압화학적 기상 증착 방법으로 증착하는 공정과, 상기 다결정 규소(2)의 표면을 미세 결정 사이의 비정질 실리콘이 미세 결정을 이루는 단결정 실리콘 보다 빠르게 식각되도록 별도의 마스크 없이 식각하여 미세 결정을 이루는 단결 정규소를 돌출시키는 공정과, 상기 다결정 규소(2)의 상부에 상기 다결정 규소(2)를 길게 노출시키는 감광막 마스크를 형성하고 상기 다결정 규소(2)의 노출된 부분을 상기 기판(1)이 노출되도록 제거하여 다수 개의 서로 평행한 분리영역(3)을 형성하는 공정을 포함하는 미세전공소자의 음극 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판(1)이 절연체로 이루어진 미세진공소자의 음극 제조 방법

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제1항에 있어서, 상기 기판(1)은 불순물이 도핑된 규소로 이루어진 미세 진공소자의 음극 제조방법

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제3항에 있어서, 상기 기판(1) 상에 다결정 규소(2)를 증착하기에 앞서 절연막(4)을 형성하는 공정을 더 포함하는 미세 진공소자와 음극제조 방법

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제1항에 있어서, 상기 기판(1) 상에 다결정 규소(2)를 증착하기에 앞서 절연막(4)과 도전체막(5)을 순차적으로 형성하는 공정을 더 포함하는 미세 진공소자의 음극 제조방법

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제5항에 있어서, 상기 도전체막(5)을 전기전도도가 양호한 금속으로 형성하는 미세진공소자의 음극 제조방법

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제6항에 있어서, 상기 분리영역(3) 형성시 다결정 규소(2)와 상기 도전체막(5)도 제거하는 미세진공소자의 음극제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.