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기판 상에 제공된 후면전극;상기 후면전극 상에 제공된 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 제공된 CIGS계 광흡수층; 및 상기 광흡수층 상에 제공된 전면 투명전극을 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입층의 가전자대와 상기 광흡수층의 p형 반도체의 가전자대 사이의 차이가 상기 정공 주입층의 전도대와 상기 광흡수층의 p형 반도체의 가전자대 사이의 차이보다 큰 화합물 반도체 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 정공 주입층은 몰리브덴 산화물을 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 3 항에 있어서,상기 몰리브덴 산화물은 몰리브덴 삼산화물인 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입층은 0
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수층은 I-Ⅲ-VI2족 화합물 반도체로 이루어지는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수층과 상기 전면 투명전극 사이에 제공된 버퍼층을 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 투명전극 상의 일 영역에 제공된 반사방지막; 및상기 반사방지막의 측면에 제공되되, 상기 전면 투명전극과 접촉된 그리드 전극을 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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