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복수의 이득 도파로들을 통해 복수의 광들을 생성하는 이득부;상기 복수의 이득 도파로들 각각으로부터 제공되는 광들을 파장에 따라 투과 또는 반사시키는 반사부; 그리고상기 반사부를 투과하여 출력되는 복수의 광들을 다중화하는 다중화부를 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 이득 도파로들 각각은, 기판상에 형성되는 코어; 그리고상기 코어의 상부에 형성되는 클래드를 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 2 항에 있어서,상기 반사부는 상기 복수의 이득 도파로들에 각각 광결합되는 복수의 비정질 실리콘 도파로를 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 3 항에 있어서,상기 복수의 비정질 실리콘 도파로들 각각은, 상기 기판상에 형성되는 실리콘 산화막층;상기 실리콘 산화막층의 상부에 형성되는 하부 비정질 실리콘 클래드층;상기 하부 비정질 실리콘 클래드층의 상부에 형성되는 비정질 실리콘 코어;상기 비정질 실리콘 코어의 상부에 형성되는 상부 비정질 실리콘 클래드층을 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 4 항에 있어서,상기 복수의 비정질 실리콘 도파로들 각각은 리지형 도파로로 형성되는 다파장 광 발생 장치
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제 5 항에 있어서,상기 복수의 비정질 실리콘 도파로들 각각에는 반사형 브래그 회절격자 영역을 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 다중화부는 상기 복수의 광들을 광결합하는 비정질 실리콘 다중 모드 간섭기(MMI)를 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 다중화부는 상기 복수의 광들을 광결합하는 오목 회절격자(CG)를 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 8 항에 있어서,상기 오목 회절격자의 출력광을 이득 전류(Iamp)에 따라 증폭하는 증폭부를 더 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 9 항에 있어서,상기 증폭부는 상기 이득부가 형성되는 화합물 반도체 영역에 형성되는 다파장 광 발생 장치
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제 10 항에 있어서,상기 증폭부에서 증폭된 광이 출력되는 종단면에는 무반사 코팅막이 형성되는 다파장 광 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 이득부의 종단면에는 고반사 고팅막이 형성되는 다파장 광 발생 장치
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제 12 항에 있어서,상기 고반사 코팅막, 상기 이득부, 그리고 상기 반사부는 복수의 단일 모드 광을 출력하는 분포 브래그 반사 레이저 다이오드를 구성하는 다파장 광 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 다중화부에서 출력되는 다중화된 광의 출력을 증폭하는 증폭부를 더 포함하는 다파장 광 발생 장치
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제 14 항에 있어서,상기 증폭부의 종단면에는 무반사 코팅막이 형성되는 다파장 광 발생 장치
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제 14 항에 있어서,상기 반사부와 상기 다중화부는 비정질 실리콘 도파로를 포함하고, 상기 이득부와 상기 증폭부는 화합물 반도체 도파로를 포함하는 다파장 광 발생 장치
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