| 1 |
1
기판으로 제공되는 광의 반사율을 감소시키기 위해 표면 거칠기를 갖는 박막에 있어서,상기 기판 상에 배치되고, 제1 산화물을 포함하는 지지 물질; 및상기 지지 물질 내의 상부에 배치되어 상기 표면 거칠기를 생성하고, 상기 제1 산화물과 다른 제2 산화물을 포함하는 입자들을 포함하되,상기 입자들은 상기 지지 물질의 밀도보다 작은 밀도를 갖되,상기 표면 거칠기는 상기 지지 물질의 밀도와 상기 입자들의 밀도의 차이에 대응되는 밀도 차, 및 상기 입자들의 크기에 비례하여 증가하는 박막
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제1 산화물은 알루미늄산화물을 포함하되,상기 제2 산화물은 실리콘산화물을 포함하는 박막
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 입자가 10나노미터 내지 150나노미터의 직경을 가질 때, 상기 표면 거칠기는 4
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 입자들은 상기 지지 물질의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 박막
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 입자의 직경은 상기 표면 거칠기보다 큰 박막
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 제1 산화물은 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 또는 아연산화물을 포함하는 박막
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 입자는 실리콘 질화물을 더 포함하는 박막
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서상기 입자들은 상기 지지 물질보다 높은 밀도를 갖고, 상기 지지 물질 하부에서 분포하여 박막의 상부보다 하부가 굴절율이 큰 박막
|
| 11 |
11
기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 제1 산화물을 포함하는 입자들과, 상기 제1 산화물과 다른 제2 산화물을 포함하고 상기 입자의 밀도보다 작은 밀도를 갖는 지지 물질을 함유하는 전구체 용액을 코팅하는 단계;상기 입자의 밀도와 상기 지지 물질의 밀도 차이에 대응되는 밀도 차에 따라 상기 입자들을 상기 전구체 용액의 상부로 재배열하는 단계; 및상기 전구체 용액으로부터 상기 지지 물질을 생성하여 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 박막의 표면 거칠기는 상기 밀도 차와 상기 입자들의 크기에 비례하여 증가하는 박막의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 입자들을 재배열하는 단계는 상기 기판을 80 내지 150℃로 가열하는 단계를 포함하되,상기 지지 물질을 생성하는 단계는 상기 기판을 200℃ 내지 500℃로 가열하는 단계를 포함하는 박막의 제조방법
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 전구체 용액은 상기 지지 물질의 전구체와 용매를 포함하는 박막의 제조방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 박막의 표면 거칠기는 상기 전구체 용액 내의 상기 전구체의 농도에 비례하여 증가되는 박막의 제조방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
제 11 항에 있어서,상기 전구체 용액과 상기 입자들은 혼합된 후 상기 기판 상에 코팅되는 박막의 제조방법
|
| 18 |
18
제 17 항에 있어서,상기 입자들은 분산액에 용해된 후 상기 전구체 용액에 혼합되는 박막의 제조방법
|
| 19 |
19
제 11 항에 있어서,상기 입자들이 혼합된 상기 전구체 용액은 졸겔 방법, 스크린 프린팅 법, 스프레이법, 담금법, 잉크젯 프린팅 법 중 적어도 하나에 의해 상기 기판 상에 코팅되는 박막의 제조방법
|
