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기판 상에 제공되되, 알칼리 성분이 첨가되고 크롬, 코발트 또는 구리 중 어느 하나의 금속층으로 이루어진 불순물 확산 방지막;상기 불순물 확산 방지막 상에 제공되되, 몰리브덴으로 이루어진 후면전극;상기 후면전극 상에 제공된 CIGS계 광흡수층; 및상기 광흡수층 상에 제공된 전면 투명전극을 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 알칼리 성분은 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 프란슘, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무스, 바나듐, 니오브 및 탄탈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 불순물 확산 방지막에 첨가되는 상기 알칼리 성분의 함량은 상기 금속층의 전체 중량 대비 0
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제 1 항에 있어서,상기 불순물 확산 방지막은 0
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수층은 I-Ⅲ-VI2족 화합물 반도체로 이루어지는 화합물 반도체 태양전지
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제 5 항에 있어서,상기 광흡수층은 상기 불순물 확산 방지막에서 확산된 상기 알칼리 성분을 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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7
제 1 항에 있어서,상기 기판은 소다회 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판 또는 고분자 필름 중 어느 하나인 화합물 반도체 태양전지
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8
제 1 항에 있어서,상기 광흡수층과 상기 전면 투명전극 사이에 제공된 버퍼층을 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 투명전극 상의 일 영역에 제공된 반사방지막; 및상기 반사방지막의 측면에 제공되되, 상기 전면 투명전극과 접촉된 그리드 전극을 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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10
기판 상에, 알칼리 성분이 첨가되고 크롬, 코발트 또는 구리 중 어느 하나의 금속층으로 이루어진 불순물 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 불순물 확산 방지막 상에 몰리브덴으로 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면전극 상에 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 전면 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 불순물 확산 방지막은 스퍼터링 방법으로 형성하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 후면전극은 상기 불순물 확산 방지막과 동일한 챔버에서 상기 스퍼터링 방법으로 형성하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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