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기판 상에 하부 전극 층을 형성하는 단계;상기 하부 전극 층 및 상기 기판 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계;상기 광 흡수 층을 패터닝하여 상기 하부 전극 층을 노출시키는 제 1 트렌치를 형성 단계; 및상기 광 흡수 층의 상부에서 상기 제 1 트렌치 바닥으로 연장되는 윈도우 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 윈도우 전극 층은 이온화된 물리 기상 증착 방법에 의해 형성되는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 윈도우 전극 층은 산화아연을 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 산화 아연은 붕소, 갈륨, 알루미늄, 마그네슘, 인듐, 주석, 또는 불소 중 적어도 하나의 전도성 불순물을 더 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 윈도우 전극 층은 산화인듐주석을 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 윈도우 전극 층은 0
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제 1 항에 있어서,상기 이온화 물리 기상 증착 방법은 상기 윈도우 전극 층의 증착 입자를 타깃으로부터 스퍼터링 시키는 불활성 기체의 제 1 플라즈마와, 상기 불활성 기체의 이온화율을 증가시키는 제 2 플라즈마들을 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마는 상기 기판 하부의 스퍼터 건으로부터 유도되고, 상기 제 2 플라즈마는 상기 스퍼터 건과 상기 기판 사이의 유도 결합 플라즈마 튜브들로부터 유도되는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층을 형성하는 단계는, 상기 광 흡수 층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 버퍼 층은 카드뮴 설파이드를 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 씨아이지에스(CIGS)의 캘코파이라이트 화합물 반도체를 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극 층은 몰리브데늄을 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 트렌치에 인접하는 상기 윈도우 전극 층, 상기 광 흡수 층을 제거하여 상기 하부 전극 층을 노출하는 제 2 트렌치를 형성하여 셀을 분리하는 단계를 더 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법
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