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메타 전자파 구조를 이용한 이중대역 Ｃｌａｓｓ－ Ｆ ＧａＮ 전력증폭장치

  • 기술번호 : KST2015089229
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메타 전자파 구조를 이용한 이중대역 Class-F GaN 전력증폭장치가 개시되어 있다. 메타 전자파 구조를 이용한 이중대역 Class-F GaN 전력증폭장치는 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 CRLH 특성의 고조파 조절회로를 각각 포함하는 입력정합부와 출력정합부를 포함할 수 있다. 따라서 다중밴드 정합에 대한 제약을 해결하고 이중대역간 출력특성의 불균형에 대한 해소 및 IMD의 특성을 개선시킬 수 있다.
Int. CL H03F 1/56 (2006.01) H03F 3/20 (2006.01)
CPC H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01)
출원번호/일자 1020110025194 (2011.03.22)
출원인 한국전자통신연구원, 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0107599 (2012.10.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고승기 대한민국 서울특별시 동작구
2 서철헌 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0208550-84
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0183636-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0267749-62
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0503523-21
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0038135-98
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0773703-00
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.10.31 무효 (Invalidation) 1-1-2016-1059082-73
11 보정요구서
Request for Amendment		 2016.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0159847-76
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2016.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0175209-32
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1279966-12
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0093160-34
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0184770-87
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0184771-22
17 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2017.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0473285-45
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0451938-93
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0728749-32
20 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.07.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0728750-89
21 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0604987-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메타 전자파 구조를 이용한 이중대역 Class-F GaN 전력증폭장치에 있어서, 상기 전력증폭장치는,복수개의 중심 주파수를 증폭시키며, 게이트, 드레인, 소스를 포함하는 하나의 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor);게이트선로를 통하여 상기 게이트에 연결되며, 상기 복수개의 중심 주파수의 임피던스 매칭을 수행하는 입력정합부;드레인선로를 통하여 상기 드레인에 연결되며, 짝수 고조파에서는 단락되고 홀수 고조파에서는 개방되는 출력정합부; 및소스선로를 통하여 상기 소스에 연결되는 그라운드를 포함하되,상기 입력정합부는 서로 병렬 연결된 제1 고조파 조절회로 및 제2 고조파 조절회로를 포함하고,상기 출력정합부는 서로 병렬 연결된 제3 고조파 조절회로 및 제4 고조파 조절회로를 포함하고,상기 제1 내지 제4 고조파 조절회로는 각각 서로 병렬 연결되는 한 쌍의 단위셀을 포함하고, 각각의 단위셀은한 쌍의 CRLH(composite right/left-handed) 전송선로;상기 한 쌍의 CRLH 전송선로들 사이에 연결되며 복수개의 커패시터를 포함하는 연결선로; 및상기 연결선로에 병렬 연결되고 종단에 그라운드를 포함하는 제1 인덕터선로를 포함하고,상기 CRLH 전송선로는 적어도 하나의 인덕터 및 적어도 하나의 커패시터가 직렬로 연결된 제1 회로; 및적어도 하나의 인덕터 및 적어도 하나의 커패시터가 병렬로 연결된 제2 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 출력정합부는 짝수(even) 고조파에서는 단락(short)되고, 홀수(odd) 고조파에서는 개방(open)되는 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 전력증폭장치
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 전력증폭장치는 일단이 상기 게이트선로에 병렬 연결되는 제2 인덕터선로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 전력증폭장치는 일단이 상기 드레인선로에 병렬 연결되는 제3 인덕터선로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭장치
9 9
제1항에 있어서, 상기 전력증폭장치는 전압을 공급하는 전압공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭장치
10 10
제9항에 있어서, 상기 전압공급부는 복수개의 중심 주파수 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 전력증폭장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 방송통신위원회 한국전자통신연구원 정보통신산업원천기술개발사업 메타 전자파 구조를 이용한 전파(RF)스펙트럼 개선 기술 연구