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압전 에너지 하베스팅/저장 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015089330
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전 에너지 하베스팅/저장 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상부 일측에 홈이 형성되어 있는 기판; 일단이 상기 기판에 고정되고, 타단이 상기 홈 상부에 부양되어, 외부 진동을 전기 에너지로 변환하여 저장하는 압전 MEMS 캔틸레버; 및 상기 압전 MEMS 캔틸레버 일단에 형성되어, 진동을 부가하는 질량체를 포함한다.
Int. CL H02N 2/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110086839 (2011.08.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0023810 (2013.03.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.26)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상균 대한민국 광주광역시 광산구
2 양일석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0674324-24
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0064539-16
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0784803-64
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1110974-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0726364-87
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0998438-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0442356-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.28 무효 (Invalidation) 1-1-2017-0831957-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0832983-72
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0832984-17
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0831956-71
13 보정요구서
Request for Amendment
2017.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0125287-12
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0152128-94
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0149239-70
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0410883-63
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0410882-17
18 등록결정서
Decision to grant
2018.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0546793-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 일측에 홈이 형성되어 있는 기판;일단이 상기 기판에 고정되고, 타단이 상기 홈 상부에 부양되어, 외부 진동을 전기 에너지로 변환하여 저장하는 압전 MEMS 캔틸레버; 및상기 압전 MEMS 캔틸레버 일단에 형성되어, 진동을 부가하는 질량체를 포함하되,상기 압전 MEMS 캔틸레버는:전압의 리플을 제거하는 커패시터;상기 커패시터 상에 배치되는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되는 박막 배터리;상기 박막 배터리 상에 배치되는 압전층; 상기 압전층과 상기 박막 배터리 사이에 배치되고, 상기 압전층과 상기 박막 배터리를 전기적으로 연결하는 제2 전극; 및상기 압전층 상에 배치되는 제3 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 박막 배터리는:제1 전류 포집층;상기 제1 전류 포집층 상부에 형성되는 제1 전극;상기 제1 전극 상부에 형성되는 전해질층;상기 전해질층 상부에 형성되는 제2 전극; 및상기 제2 전극 상부에 형성되는 제2 전류 포집층을 포함하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 박막 배터리는,상기 박막 배터리 전면을 감싸는 보호층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 압전층은 PZT, PMN-PT, PZN-PT, PMN-PZT, MFC(Micro-fiber Composite), ZnO 및 AlN 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 Pt/Ti를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 기판은 SOI(Silicon-on Insulator) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 기판 상에 SiO2 또는 Si3N4가 증착되는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치
9 9
기판의 상부 일측에 홈을 형성하는 단계;상기 홈에 폴리머를 매립한 후 평탄화하는 단계;상기 기판 상부에 외부 진동을 전기 에너지로 변환하여 저장하는 압전 에너지 하베스팅 소자를 형성하는 단계; 및상기 압전 에너지 하베스팅 소자 일측에 홀을 형성하고, 상기 홀을 통해 상기 홈에 매립된 폴리머를 제거하여 압전 MEMS 캔틸레버를 형성하는 단계를 포함하되,상기 압전 에너지 하베스팅 소자를 형성하는 단계는:커패시터를 형성하는 단계;상기 커패시터 상부에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상부에 박막 배터리를 형성하는 단계;상기 박막 배터리 상부에 제2 전극을 형성하는 단계;상기 제2 전극 상부에 압전층을 형성하는 단계; 및상기 압전층 상부에 제3 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2 전극은 상기 박막 배터리와 상기 압전층 사이에 형성되고, 상기 박막 배터리와 상기 압전층을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 폴리머는 PMMA 또는 SU8 폴리머인 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 홈을 형성하는 단계에서,반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE)을 통해 상기 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 압전 MEMS 캔틸레버를 형성하는 단계에서,XeF2 또는 SF6을 이용한 등방성 건식 식각을 통해 상기 압전 에너지 하베스팅 소자의 일측에 홀을 형성하고, 상기 홀을 통해 상기 홈에 매립된 폴리머를 제거하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 압전 MEMS 캔틸레버를 형성하는 단계에서,상기 압전 MEMS 캔틸레버를 형성함과 동시에 상기 압전 MEMS 캔틸레버 일단에 질량체를 형성하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치의 제조 방법
14 14
삭제
15 15
제9항에 있어서, 상기 박막 배터리를 형성하는 단계는:제1 전류 포집층을 형성하는 단계;상기 제1 전류 포집층 상부에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극을 포함하는 기판 상부에 전해질층을 형성하는 단계;상기 전해질층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 전극 상부에 제2 전류 포집층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 박막 배터리를 형성하는 단계는,상기 박막 배터리 전면을 감싸는 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅/저장 장치의 제조 방법
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1 US09142857 US 미국 FAMILY
2 US09862599 US 미국 FAMILY
3 US20130049539 US 미국 FAMILY
4 US20150353352 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2013049539 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2015353352 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9142857 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9862599 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.