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그 상부에 리세스를 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성된 제 1 전극 층과 제 2 전극 층;상기 제 1 전극 층과 상기 제 2 전극 층 사이에서 빛을 생성하는 유기발광 층; 및상기 기판의 상기 리세스 상에 제공되고, 상기 제 1 전극 층과 상기 기판 사이에서 상기 빛을 산란시키는 산란 층을 포함하되,상기 산란 층은:상기 리세스의 내표면을 따라 서로 이격되어 배열되는 미세 패턴들; 및상기 리세스를 채우는 평탄층을 포함하고,상기 평탄층은 상기 미세 패턴들의 상면들을 덮고 상기 미세 패턴들 사이로 연장되어 상기 리세스의 상기 내표면과 접하고,상기 미세 패턴들은 폴리머를 포함하고, 상기 제1 전극층은 상기 평탄층을 사이에 두고 상기 미세 패턴들로부터 이격되는 유기발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 평탄층은 상기 리세스의 상기 내표면과 접하는 하면, 및 상기 제1 전극층에 인접하는 상면을 가지고, 상기 평탄층의 상기 상면은 평평한 유기발광다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 리세스는 마이크로 렌즈의 형상을 포함하는 유기발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리스티렌, 폴리부타디엔, 폴리부틸아크릴레이트, 폴리이소프렌, 폴리헥실아크릴레이트, 폴리이소부틸렌, 폴리부틸메타크릴레이트, 폴리에틸에틸렌, 폴리비닐피리딘, 또는 폴리에틸렌옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 각 미세 패턴은 100㎚ 내지 700㎚의 폭을 갖는 유기발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 평탄 층은 TiO2, ZrO2, ZnS, TiO2-SiO2, SnO2, In2O3 등의 무기 물질, 폴리비닐 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 이미드 수지, 폴리 스티렌 수지, 폴리 카보네이트 수지, 폴리 에틸렌 수지, PMMA 수지, 폴리 프로필렌 수지 등의 폴리머, 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광다이오드
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기판의 상부를 식각하여 상기 기판 내에 리세스를 형성하는 단계;상기 기판의 상기 리세스 상에 산란 층을 형성하는 단계;상기 산란 층 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 층 상에 유기발광 층을 형성하는 단계; 및상기 유기발광 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 산란 층을 형성하는 단계는;상기 리세스의 내표면을 따라 서로 이격되어 배열되는 미세 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 리세스를 채우는 평탄층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 평탄층은 상기 미세 패턴들의 상면들을 덮고 상기 미세 패턴들 사이로 연장되어 상기 리세스의 상기 내표면과 접하고,상기 미세 패턴들은 폴리머를 포함하고, 상기 제1 전극층은 상기 평탄층을 사이에 두고 상기 미세 패턴들로부터 이격되도록 형성되는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 미세 패턴들의 형성 단계는,상기 리세스의 상기 내표면을 덮는 폴리머 층을 형성하는 단계;상기 폴리머 층을 상분리 방법에 의해 제 1 폴리머 블록과 제 2 폴리머 블록으로 재배열시키는 단계; 및상기 제 1 폴리머 블록 및 상기 제 2 폴리머 블록 중 어느 하나를 제거하는 단계를 포함하고,상기 미세 패턴들은 상기 제1 폴리머 블록 및 상기 제2 폴리머 블록 중 나머지 하나로 형성되는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 폴리머 층은 스핀 코팅으로 형성되는 블록 공중합체를 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 블록 공중합체는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리부타디엔-폴리부틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리부타디엔-폴리디메틸실록산 공중합체, 폴리부타디엔-폴리메텔메타크릴레이트 공중합체, 폴리부타디엔-폴리비닐피리딘 공중합체, 폴리부틸아크릴레이트-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트-폴리비닐피리딘, 폴리이소프렌-폴리비닐피리딘, 폴리이소프렌-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리헥실아크릴레이트-폴리비닐피리딘, 폴리이소부틸렌-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리이소부틸렌-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이소부틸렌-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리이소부틸렌-폴리디메틸실록산, 폴리부틸메타크릴레이트-폴리부틸아크릴레이트, 폴리에틸에틸렌-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리스티렌-폴리부타디엔, 폴리스티렌-폴리이소프렌, 폴리스티렌-폴리메틸실록산, 폴리스티렌-폴리비닐피리딘, 폴리에틸에틸렌-폴리비닐피리딘, 폴리에틸렌-폴리비닐피리딘, 폴리비닐피리딘-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드-폴리이소프렌, 폴리에틸렌옥사이드-폴리부타디엔, 폴리에틸렌옥사이드-폴리스티렌, 폴리에틸렌옥사이드-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드-폴리디메틸실록산, 폴리스티렌-폴리에틸렌옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 블록 공중합체는 열처리에 의해 상기 제 1 폴리머 블록과 상기 제 2 폴리머 블록으로 재배열되고,상기 상분리 방법은 상기 열처리를 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 폴리머 블록 또는 상기 제 2 폴리머 블록은 상기 제1 및 제2 폴리머 블록들이 자외선에 감광된 후 세정액에 의해 제거되는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 평탄 층은 TiO2, ZrO2, ZnS, TiO2-SiO2, SnO2, In2O3 등의 무기 물질, 폴리비닐 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 이미드 수지, 폴리 스티렌 수지, 폴리 카보네이트 수지, 폴리 에틸렌 수지, PMMA 수지, 폴리 프로필렌 수지 등의 폴리머, 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 리세스를 형성하는 단계는, 상기 기판의 상기 상부를 등방적으로 식각하는 것을 포함하고,상기 리세스는 마이크로 렌즈의 형성을 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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