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반도체층이 제공된 기판을 준비하는 것;상기 반도체층내에 트렌치를 형성하는 것;상기 트렌치를 통해 노출된 상기 반도체층의 일부분에 제1 도전형의 도펀트를 주입하여 도핑 영역을 형성하는 것;상기 트렌치내에 선택적 단결정 성장 공정에 의해서 제1 단결정막 및 제2 단결정막을 형성하는 것; 및상기 제1 단결정막, 상기 제2 단결정막 및 상기 반도체층을 패터닝하는 것에 의해서 제1 단결정 패턴, 제2 단결정 패턴 및 광도파로를 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 단결정 패턴, 상기 제2 단결정 패턴 및 상기 광도파로를 형성하는 것은, 상기 제1 단결정막, 상기 제2 단결정막 및 상기 반도체층의 일부분을 식각하여 상기 도핑 영역의 적어도 일부분을 노출시키는 것을 포함하는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체층 및 상기 기판 사이에 매몰 절연막이 개재되는 광 검출기의 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 도핑 영역은 상기 매몰 절연막과 접촉하는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판상에 층간 유전막을 형성하는 것; 및상기 층간 유전막내에 상기 층간 유전막을 관통하는 제1 금속 패드 및 제2 금속 패드를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 제1 금속 패드는 상기 도핑 영역에 접촉하고, 상기 제2 금속 패드는 상기 제2 단결정 패턴에 접촉하는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단결정 패턴은 제2 도전형의 도펀트를 포함하고,상기 제2 도전형의 도펀트는 상기 제1 도전형의 도펀트와 서로 다른 도전형인 광 검출기의 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 광도파로는 상기 식각된 반도체층으로부터 돌출된 형태인 광 검출기의 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 광도파로는 일 방향으로 연장되는 라인형태이고,상기 광도파로의 일단은 상기 제1 단결정 패턴과 접촉하는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 단결정 패턴 및 상기 제2 단결정 패턴을 형성하는 것과 상기 광도파로를 형성하는 것은 각각 서로 다른 패터닝 공정에 의해서 수행되는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 단결정막을 형성하는 것은,상기 트렌치의 측면들 및 바닥면으로부터 단결정 성장이 이루어지는 것을 포함하는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 선택적 단결정 성장 공정은 감압 화학 기상 증착 공정 또는 초고진공 화학 기상 증착 공정을 수행하는 것을 포함하는 광 검출기의 형성 방법
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제12항에 있어서,상기 제1 단결정막을 형성하는 것은 저메인 및 수소를 포함하는 제1 반응 가스를 사용하여 550 내지 650℃의 증착 온도에서 수행되는 상기 감압 화학 기상 증착 공정 또는 상기 초고진공 화학 기상 증착 공정을 수행하는 것을 포함하되,상기 제1 반응 가스의 유량은 10 내지 50sccm인 광 검출기의 형성 방법
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제12항에 있어서,상기 제2 단결정막을 형성하는 것은, 반도체 원소를 포함하는 원료 가스, 운반 가스, 식각 가스를 포함하는 제2 반응 가스를 사용하여 600 내지 800℃의 증착 온도에서 수행되는 감압 화학 기상 증착 공정 또는 초고진공 화학 기상 증착 공정을 수행하는 것을 포함하는 광 검출기의 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 원료 가스는 다이클로로실란(SiH2Cl2), 사염화 규소(SiCl4), 실란(SiH4) 및 저메인(GeH4) 중에서 적어도 하나를 포함하고, 운반 가스는 수소를 포함하고, 식각 가스는 염화 수소를 포함하는 광 검출기의 형성 방법
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제15항에 있어서,상기 염화 수소의 유량은 10 내지 200sccm인 광 검출기의 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 제2 반응 가스는 도펀트 가스를 더 포함하고,상기 도펀트 가스는 다이보레인(Diborane) 또는 포스핀(phosphine)을 포함하는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 단결정막 및 상기 제2 단결정막을 형성하기 위한 선택적 단결정 성장 공정은 하나의 공정 챔버 내에서 수행되는 광 검출기의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 트렌치의 깊이는 상기 트렌치의 일 방향의 폭과 동일하거나 상기 트렌치의 일 방향의 폭의 1
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제1항에 있어서,상기 제2 단결정막의 두께는 50 내지 300㎚으로 형성되는 광 검출기의 형성 방법
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