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고효율 정전류 회로

  • 기술번호 : KST2015089509
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열 폭주 현상을 방지할 수 있는 현탁 트랜지스터 (hyuntak Transistor)와 고증폭과 정전류를 가능하게 하는 보조 트랜지스터를 이용한 저발열 고효율 정전류 회로이다. 본 회로는 발광 다이오드 및 모터의 구동에 적용될 수 있다.
Int. CL G05F 3/02 (2006.01) G05F 3/22 (2006.01)
CPC G05F 3/16(2013.01) G05F 3/16(2013.01)
출원번호/일자 1020110116466 (2011.11.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0082328 (2012.07.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110003519   |   2011.01.13
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.17)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현탁 대한민국 대전광역시 유성구
2 김봉준 대한민국 대전광역시 유성구
3 곽선신 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 김준식 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0885085-00
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0105338-66
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0908077-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2013-5113488-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2015.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1003432-70
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-1083577-34
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1239126-26
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1239139-19
10 등록결정서
Decision to grant
2017.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0363311-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전원전압원;상기 전원전압원에 그의 일단이 접속된 부하; 반도체의 열폭주 현상을 억제하기 위해 상기 부하의 타단과 접지연결 저항 사이에 연결된 발열 제어부;상기 발열 제어부의 전류 효율을 증가시키기 위해 상기 발열 제어부와는 병렬로 상기 부하의 타단에 연결된 제1 트랜지스터; 및 상기 접지연결 저항과 상기 제1 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 접지연결 저항으로의 정전류 흐름을 유지하기 위해 상기 접지연결 저항의 노드 전압에 따라 스위칭되는 제2 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 정전류 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 발열 제어부는 적어도 2개의 바이폴라 트랜지스터와 금속-절연체 전이 소자를 포함하는 현탁 트랜지스터(HTR)임을 특징으로 하는 정전류 회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 현탁 트랜지스터는,상기 부하의 타단에 콜렉터가 연결되고 상기 접지연결 저항에 에미터가 연결된 마스터 바이폴라 트랜지스터; 상기 마스터 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터에 콜렉터가 연결되고 상기 접지연결 저항에 에미터가 연결된 슬레이브 바이폴라 트랜지스터; 및 상기 마스터 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 슬레이브 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되어 온도에 따라 저항이 변하는 금속-절연체 전이 소자를 포함함을 특징으로 하는 정전류 회로
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터는 상기 부하의 타단에 콜렉터가 연결되고 상기 마스터 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 에미터가 연결되며 인가되는 베이스 전압을 베이스로 수신하는 NPN형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전류 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 에미터에 콜렉터가 연결되고 접지에 에미터가 연결되며 상기 접지연결 저항의 노드 전압을 베이스로 수신하는 NPN형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전류 회로
6 6
제5항에 있어서, 상기 마스터 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 제2 트랜지스터의 콜렉터 사이에는 전류 제한용 저항이 더 연결됨을 특징으로 하는 정전류 회로
7 7
제1항에 있어서, 상기 부하는 정전류를 요구하는 부하임을 특징으로 하는 정전류 회로
8 8
제7항에 있어서, 상기 부하는 LED, 조명용 파워 LED, 모터 중의 적어도 하나임을 특징으로 하는 정전류 회로
9 9
제1항에 있어서, 상기 정전류 회로는 하나의 칩 패키지에 패키징된 것을 특징으로 하는 정전류 회로
10 10
제3항에 있어서, 상기 정전류 회로는 금속-절연체 전이 소자를 제외한 부분이 하나의 칩 패키지에 패키징되고, 상기 하나의 칩 패키지는 상기 금속-절연체 전이 소자를 패키지 외부에서 연결하기 위한 단자들을 가짐을 특징으로 하는 정전류 회로
11 11
전원전압원;상기 전원전압원에 그의 일단이 접속된 부하; 상기 부하의 타단과 접지연결 저항 사이에 연결된 바이폴라 파워 트랜지스터;상기 바이폴라 파워 트랜지스터의 전류 효율을 증가시키기 위해 상기 바이폴라 파워 트랜지스터와는 병렬로 상기 부하의 타단에 연결된 제1 트랜지스터; 및 상기 접지연결 저항과 상기 제1 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 접지연결 저항으로의 정전류 흐름을 유지하기 위해 상기 접지연결 저항의 노드 전압에 따라 스위칭되는 제2 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 정전류 회로
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터는 상기 부하의 타단에 콜렉터가 연결되고 상기 바이폴라 파워 트랜지스터의 베이스에 에미터가 연결되며 인가되는 베이스 전압을 베이스로 수신하는 NPN형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전류 회로
13 13
제12항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 에미터에 콜렉터가 연결되고 접지에 에미터가 연결되며 상기 접지연결 저항의 노드 전압을 베이스로 수신하는 NPN형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전류 회로
14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
전원전압원;상기 전원전압원에 그의 일단이 접속된 부하; 반도체의 열폭주 현상을 억제하기 위해 상기 부하의 타단에 에미터가 연결되고 접지연결 저항에 콜렉터가 연결된 현탁 트랜지스터 타입 PNP 형 발열 제어 트랜지스터;상기 발열 제어 트랜지스터의 동작 효율을 증가시키기 위해 상기 발열 제어 트랜지스터와는 병렬로 상기 부하의 타단에 연결된 제1 트랜지스터; 및 상기 접지연결 저항과 상기 제1 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 접지연결 저항으로의 정전류 흐름을 유지하기 위해 상기 접지연결 저항의 노드 전압에 따라 스위칭되는 제2 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 정전류 회로
19 19
제18항에 있어서, 상기 현탁 트랜지스터는,상기 부하의 타단에 에미터가 연결되고 상기 접지연결 저항에 콜렉터가 연결된 PNP 형 마스터 바이폴라 트랜지스터; 상기 마스터 바이폴라 트랜지스터의 에미터에 에미터가 연결되고 상기 접지연결 저항에 콜렉터가 연결된 PNP 형 슬레이브 바이폴라 트랜지스터; 및 상기 마스터 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 슬레이브 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되어 온도에 따라 저항이 변하는 금속-절연체 전이 소자를 포함함을 특징으로 하는 정전류 회로
20 20
제19항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터는 상기 부하의 타단에 에미터가 연결되고 상기 마스터 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 콜렉터가 연결되며 인가되는 베이스 전압을 베이스로 수신하는 PNP형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전류 회로
21 21
제20항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 콜렉터에 에미터가 연결되고 접지에 콜렉터가 연결되며 상기 접지연결 저항의 노드 전압을 베이스로 수신하는 PNP형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전류 회로
22 22
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23 23
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24 24
제18항에 있어서, 상기 부하는 LED, 조명용 파워 LED, 모터 중의 적어도 하나임을 특징으로 하는 정전류 회로
25 25
제18항에 있어서, 상기 정전류 회로는 하나의 칩 패키지에 패키징된 것을 특징으로 하는 정전류 회로
26 26
제19항에 있어서, 상기 정전류 회로는 금속-절연체 전이 소자를 제외한 부분이 하나의 칩 패키지에 패키징되고, 상기 하나의 칩 패키지는 상기 금속-절연체 전이 소자를 패키지 외부에서 연결하기 위한 노출 단자들을 가짐을 특징으로 하는 정전류 회로
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08866538 US 미국 FAMILY
2 US20130278327 US 미국 FAMILY
3 WO2012096534 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012096534 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013278327 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8866538 US 미국 DOCDBFAMILY
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