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기판;상기 기판 상부에 형성되는 제1 절연막;상기 제1 절연막 상부에 형성되는 발열 저항체;상기 발열 저항체 상부에 형성되는 제2 절연막;상기 제2 절연막 상부 중앙 영역에 형성되는 기준 전극;상기 기준 전극 상부에 형성되는 고체 전해질; 및상기 고체 전해질 상부에 형성되는 감지 전극을 포함하되,상기 제2 절연막은 상기 발열 저항체의 일 부분을 노출하고, 상기 발열 저항체는 상기 노출된 일 부분을 통해 외부 회로와 연결되도록 구성되고,상기 기준 전극과 상기 감지 전극 아래의 상기 기판의 상부 중앙 영역은 일정 두께만큼 식각되어, 상기 기준 전극, 상기 감지 전극, 및 상기 기준 전극과 상기 감지 전극 아래의 상기 발열 저항체의 다른 부분을 상기 기판으로부터 열적으로 격리시키는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판 또는 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO), 석영(Quartz), 갈륨-질소(GaN) 및 갈륨-비소(GaAs) 중 어느 하나가 도핑된 기판인 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막은 단일 또는 다수의 산화 실리콘막 또는 질화 실리콘막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 발열 저항체는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 텅스텐(W) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 실리콘 또는 전도성 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 절연막과 상기 발열 저항체 사이에 형성되고, 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 부착층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 기준 전극은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 텅스텐(W) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하는 금속과 Ag2SO4, Na2Ti6O13-TiO2, Li2TiO3-TiO2, LiMn2O4, LiCoO2-Co3O4 및 Na2ZrO3-ZrO3 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 고체 전해질은 YSZ(Yttria Stabilized Zirconia), K2CO3, NASICON(Na1+xZr2SixP3-xO12), β-Al2O3(Na2O·11Al2O3), Li3PO4, LISICON(Li2+2xZn1-xGeO4), LIPON(Lithium Phosphorous Oxynitride), Li2CO3-MgO, Li2SO4, Li4SiO4, Li14ZnGe4O16, γ-Li3
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제1항에 있어서,상기 감지 전극은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 텅스텐(W) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하는 금속과 Na2CO3, 혼합 Na2CO3(Na2CO3-BaCO3, Na2CO3-Li2CO3, Li2CO3-BaCO3 및 Li2CO3-CaCO3), Li2CO3 및 혼합 Li2CO3(Li2CO3-BaCO3, Li2CO3-SrCO3 및 Li2CO3-CaCO3) 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 기준 전극 및 상기 감지 전극은 인터디지털 형태, 빈 사각형 형태 또는 사각형 형태의 단일 또는 조합으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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기판;상기 기판 상부에 형성되는 제1 절연막;상기 제1 절연막 상부에 형성되는 발열 저항체;상기 발열 저항체 상부에 형성되는 제2 절연막;상기 제2 절연막 상부 중앙 영역에 형성되는 고체 전해질;상기 고체 전해질 상부 일측에 형성되는 기준 전극; 및상기 고체 전해질 상부 타측에 형성되는 감지 전극 을 포함하되,상기 제2 절연막은 상기 발열 저항체의 일 부분을 노출하고, 상기 발열 저항체는 상기 노출된 일 부분을 통해 외부 회로와 연결되도록 구성되고,상기 기준 전극과 상기 감지 전극 아래의 상기 기판의 상부 중앙 영역은 일정 두께만큼 식각되어, 상기 기준 전극, 상기 감지 전극, 및 상기 기준 전극과 상기 감지 전극 아래의 상기 발열 저항체의 다른 부분을 상기 기판으로부터 열적으로 격리시키는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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제10항에 있어서,상기 기준 전극 및 상기 감지 전극은 인터디지털 형태, 빈 사각형 형태 또는 사각형 형태의 단일 또는 조합으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS형 전기화학식 가스 센서
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