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산화물 박막 트랜지스터용 스퍼터링 타겟의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015089609
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 박막 트랜지스터용 스퍼터링 타겟의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 탄탈륨이 도핑된 산화인듐주석 박막 트랜지스터용 스퍼터링 타겟의 제조방법에 관한 것이다. 상기 탄탈륨이 도핑된 산화인듐주석 스퍼터링 타겟은 저온 공정이 가능한 박막 트랜지스터를 제공하기 위하여 사용될 수 있다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01)
CPC C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01)
출원번호/일자 1020110119596 (2011.11.16)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 나노신소재
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0053894 (2013.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 나노신소재 대한민국 세종특별자치시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정승묵 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신재헌 대한민국 대전광역시 유성구
3 정우석 대한민국 대전광역시 유성구
4 김상희 대한민국 대전광역시 유성구
5 박장우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0906006-41
2 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2011.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0108584-06
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5204781-41
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0432400-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-0033155-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1022275-22
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1022277-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2016-5186477-02
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0167621-64
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0801702-91
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0051908-97
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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산화인듐 분말, 산화주석 분말 및 탄탈륨 분말을 준비하는 단계;상기 산화인듐 분말, 상기 산화주석 분말 및 상기 탄탈륨 분말을 혼합 및 분쇄하여 슬러리를 만드는 단계상기 슬러리를 건조하는 단계;상기 건조된 분말을 성형하는 단계;상기 성형된 분말을 소결하는 단계; 및상기 소결된 소결체를 연마하는 단계를 포함하되,상기 산화인듐 분말, 상기 산화주석 분말 및 상기 탄탈륨 분말을 혼합 및 분쇄하여 슬러리를 만드는 단계에서 상기 탄탈륨 분말은 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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