맞춤기술찾기

이전대상기술

태양전지의 상부 전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2015089626
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 상부전극의 제조방법이 제공된다. 태양전지 상부전극의 제조방법은 스크린 마스크로부터 노출되는 기판 상에 제 1 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 제 1 패턴들에 대응되고 상기 제 1 패턴들보다 작은 선폭의 홈들을 갖는 스탬프로 상기 제 1 패턴들을 상기 기판에 가압하여 상기 제 1 패턴보다 작은 선폭의 제 2 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 제 2 패턴들을 상기 기판에 고착시키는 단계와, 상기 기판으로부터 상기 스탬프를 분리하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110075567 (2011.07.29)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0013774 (2013.02.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.05)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 경기도 화성

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)
4 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교 산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0587053-37
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0316554-05
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0325955-11
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0325954-65
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0739270-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1228163-93
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1228288-91
10 등록결정서
Decision to grant
2017.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0211466-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 상부에 위치하는 그리드 형상의 상부전극을 형성하는 방법으로서,스크린 마스크로부터 노출되는 기판 상에 서로 이격된 제 1 패턴들을 형성하는 단계;상기 스크린 마스크를 제거한 뒤에, 상기 제 1 패턴들에 대응되고 상기 제 1 패턴들보다 작은 선폭의 홈들을 갖는 스탬프로 상기 제 1 패턴들을 상기 기판 상에서 가압하여 상기 제 1 패턴보다 작은 선폭의 제 2 패턴들을 형성하는 단계;상기 제 2 패턴들을 상기 기판에 고착시키는 단계; 및상기 기판으로부터 상기 스탬프를 분리하는 단계를 포함하며,상기 제 2 패턴들 사이가 서로 이격되어 하부에 위치하는 표면이 노출되는 그리드 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지 상부전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.