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활성 영역과 광모드 크기 변환 영역을 갖는 기판;상기 활성 영역에 형성된 활성 도파로와, 상기 활성 도파로에 연결되어 상기 광모드 크기 변환 영역에 형성된 접합 도파로 및 수동 도파로를 포함하는 도파로들;상기 활성 도파로 상에 형성된 전극;상기 전극과 상기 도파로들 양측의 상기 기판 상에 형성된 평탄 층; 및상기 전극에 전기적으로 연결되고, 상기 활성 도파로 외곽의 상기 평탄 층 상에 형성된 패드를 포함하되,상기 활성 도파로는:상기 기판 상의 클래드; 및상기 클래드와 상기 전극 사이에 배치되고, 상기 클래드와 접하는 하부 면, 상기 전극과 접하는 상부 면, 및 상기 하부 면과 상기 상부 면 사이를 연결하는 측벽 면들을 갖는 오믹 콘택 층을 포함하되,상기 평탄 층은 상기 오믹 콘택 층의 상기 측벽 면들을 덮고, 상기 측벽 면들에 접하는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 평탄 층은 폴리 이미드 또는 폴리머 비씨비(BCB)를 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 활성 도파로는:상기 기판 상에 형성된 활성 층; 및상기 활성 층 상에 형성된 에치 스톱 층을 더 포함하되,상기 클래드는:상기 기판과 상기 활성 층 사이에 형성된 하부 클래드 층;상기 활성 층과 상기 에치 스톱 층 사이에 형성된 제 1 상부 클래드 층; 및상기 에치 스톱 층과 상기 오믹 콘택 층 사이에서 일방향으로 연장하는 제 2 상부 클래드 층을 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 제 2 상부 클래드 층은 역 메사 구조 또는 순 메사 구조를 갖는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 하부 클래드 층과 기판사이에 형성된 수동 도파로 층을 더 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 5 항에 있어서,상기 접합 도파로 및 상기 수동 도파로는 상기 활성 도파로에서 연장되는 딥 리지형 도파로를 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 6 항에 있어서상기 접합 도파로는 상기 활성 도파로에서 연장되는 상기 수동 도파로 층 상의 하부 클래드 층과, 상기 하부 클래드 층 상에 형성된 접합 층과, 상기 활성 도파로에서 연장되는 제 2 상부 클래드 층을 포함하되,상기 하부 클래드 층과 상기 접합 층은 직선 도파로 영역과, 굽은 도파로 영역과, 테이퍼진 도파로 영역을 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 7 항에 있어서상기 수동 도파로는 트렌치에 의해 정의되는 상기 기판의 버퍼 층과, 상기 버퍼 층 상에 형성된 상기 수동 도파로 층과, 상기 수동 도파로 층 및 상기 버퍼 층을 둘러싸는 제 2 상부 클래드 층을 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드
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제 8 항에 있어서상기 제 2 상부 클래드 층은 상기 활성 영역에서보다 상기 광모드 크기 변환영역에서 높은 레벨을 갖는 수퍼루미네센트 다이오드
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활성 영역과 광모드 크기 변환 영역을 갖는 기판 상에 수동 도파로 층과, 하부 클래드 층과, 활성 층과, 제 1 상부 클래드 층을 형성하는 단계;상기 광모드 크기 변환 영역의 활성 층과 제 1 상부 클래드 층을 제거하는 단계;상기 하부 클래드 층 상에 접합 층을 형성하고 상기 접합 층과 상기 하부 클래드 층을 패터닝하여 상기 광모드 크기 변환 영역에 접합 도파로를 형성하는 단계;상기 접합 도파로 아래의 수동 도파로 층과 상기 기판을 패터닝하여 상기 광모드 크기 변환 영역에 수동 도파로를 형성하는 단계;상기 기판의 전면에 제 2 상부 클래드 층과 오믹 콘택 층을 적층하는 단계;상기 제 2 상부 클래드 층과 상기 오믹 콘택 층을 패터닝하는 단계, 상기 제 2 상부 클래드 층은 상기 활성 영역의 제 1 상부 클래드 층 상에서 메사 구조를 갖고, 상기 광모드 크기 변환 영역의 상기 접합 도파로와 상기 수동 도파로를 둘러싸고, 상기 오믹 콘택 층은 상기 활성 영역의 상기 제 2 상부 클래드 층 상에 형성되되;상기 활성 영역과 상기 광모드 크기 변환 영역의 상기 기판 상에 평탄 층을 형성하는 단계, 상기 평탄 층은 상기 오믹 콘택 층의 높이와 동일한 높이를 갖되; 및상기 오믹 콘택 층과 상기 평탄 층 상에 전극과 패드를 각각 형성하는 단계를 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 제 1 상부 클래드 층 상에 에치스톱 층과, 제 1 캡 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 접합 층은 상기 활성 영역의 상기 활성 층과 동일한 두께를 갖고 버트 재성장되는 수퍼루미네센트 다이오드의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 접합 층 상에 상기 제 1 상부 클래드 층, 상기 에치스톱 층, 및 상기 제 1 캡 층과 동일한 두께를 갖는 제 2 캡 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 2 상부 클래드 층은 상기 제 1 및 제 2 캡 층들과 동일한 피도핑된 인듐포스파이드(p-InP)을 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 광모드 크기 변환 영역의 상기 제 2 상부 클래드 층은 선택 성장 방법으로 형성된 수퍼루미네센트 다이오드의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 선택 성장 방법은,상기 접합 도파로와, 수동 도파로의 양측에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크 패턴으로부터 노출되는 상기 접합 도파로와, 상기 수동 도파로와, 상기 기판 상에 상기 제 2 상부 클래드 층을 형성하는 단계를 포함하는 수퍼루미네센트 다이오드의 제조방법
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하우징;상기 하우징의 일측 내부에서 외부로 인출되는 광섬유;상기 광섬유에 대향되는 상기 하우징의 타측 내부에 형성된 평면형 광도파로 소자; 및상기 평면형 광도파로와, 상기 광섬유 사이에서 활성 영역과 광모드 크기 변환 영역을 갖는 기판과, 상기 활성 영역에 형성된 활성 도파로와, 상기 활성 도파로에 연결되어 상기 광모드 크기 변환 영역에 형성된 접합 도파로 및 수동 도파로를 포함하는 도파로들과, 상기 활성 도파로 상에 형성된 전극과, 상기 전극과 상기 도파로들 양측의 상기 기판 상에 형성된 평탄 층과, 상기 전극에 전기적으로 연결되고, 상기 활성 도파로 외곽의 상기 평탄 층 상에 형성된 패드를 포함하되,상기 활성 도파로는 상기 기판 상의 클래드과, 상기 클래드와 상기 전극 사이에 배치되고, 상기 클래드와 접하는 하부 면, 상기 전극과 접하는 상부 면, 및 상기 하부 면과 상기 상부 면 사이를 연결하는 측벽 면들을 갖는 오믹 콘택 층을 포함하되,상기 평탄 층은 상기 오믹 콘택 층의 상기 측벽 면들을 덮고, 상기 측벽 면들에 접하는 수퍼루미네센트 다이오드를 포함하는 파장 가변 외부공진 레이저
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제 18 항에 있어서,상기 평면형 광 도파로 소자는 폴리머 광 도파로와, 브래그 그래이팅과, 고반사 코팅을 포함하는 파장가변 외부공진 레이저
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제 19 항에 있어서,상기 수퍼루미네센트 다이오드는 상기 광섬유에 인접하는 상기 활성 도파로의 측벽에 형성된 저반사 코팅을 더 포함하는 파장가변 외부공진 레이저
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