| 1 |
1
(i) 탄소 나노튜브 (CNT) 파우더, 상기 CNT 보다 낮은 용융온도를 가지면서 CNT를 산화시키는 정도가 상이한 2종 이상의 무기 충전제, 및 유기 바인더를 용매에 분산시켜 CNT 페이스트를 제조하는 단계;(ⅱ) 상기 CNT 페이스트를 기판의 상부에 형성된 전극 상에 도포하는 단계;(ⅲ) 상기 CNT 페이스트가 도포된 기판을 소성하여, 2종 이상의 무기 충전제 중에서 1종의 무기 충전제 주위에 위치하는 CNT를 선택적으로 산화시키는 단계; 및(ⅳ) 상기 CNT 페이스트 표면이 활성화되도록 상기 CNT 페이스트의 표면을 처리하는 단계를 포함하되,상기 2종 이상의 무기 충전제는 특정 온도에서 CNT 대비 환원 전위 (standard reduction potential)가 높은 제1 무기 충전제와 환원전위가 낮은 제2 무기 충전제를 포함하고,상기 1종의 무기 충전제는 제1 무기 충전제인 CNT 밀도가 조절되는 CNT 에미터의 제조방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 무기 충전제는 Au, Pt, Ag, Cu, Pd, W 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택되는 금속 또는 이들의 합금이며, 제2 무기 충전제는 In, Fe, Zn, Ti, Cr, Mn, Al 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택되는 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 CNT 에미터의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 소성단계 (ⅲ)는 대기 분위기 하에서 250-300℃ 범위로 1차 소성하는 단계; 및 대기 분위기 하에서 350-450℃ 범위로 2차 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT 에미터의 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 소성단계 (ⅲ)는 진공 분위기 하에서 800-900℃ 범위로 3차 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT 에미터의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 표면처리 단계 (ⅳ)는 CNT 가 수직으로 정렬되도록 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 CNT 에미터의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 CNT 페이스트는 CNT를 용매에 분산시켜 형성된 분산액에 상기 CNT를 산화시키는 정도가 상이한 2종 이상의 무기 충전제, 및 유기 바인더를 첨가하여 분산된 것을 특징으로 하는 CNT 에미터의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, CNT의 밀도는 수직 정렬된 CNT와 CNT들 간의 평균 거리가 CNT의 자체 길이 보다 크거나 또는 같게 조절되는 것을 특징으로 하는 CNT 에미터의 제조방법
|
