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1
기판 상에 상호 이격되어 배치된 제1 및 제2 도파로들;상기 제1 및 제2 도파로들 사이에 일렬로 배치된 적어도 하나의 링 도파로를 포함하는 적어도 하나의 채널부를 포함하되,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로는 실리콘(Si)이며, 상기 링 도파로의 폭은 0
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| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 채널부는 상기 제1 및 제2 도파로들 사이에 복수개로 이격 배치된 링 도파로들을 포함하되, 상기 링 도파로들 사이의 간격은 250nm 내지 1mm인 링공진기
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3
제 1 항에 있어서,상기 채널부는 상기 제1 및 제2 도파로들 사이에 복수개로 이격 배치된 링공진기
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4
제 1 항에 있어서,상기 링 도파로의 반지름은 5 내지 15㎛인 링공진기
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5
제 1 항에 있어서,상기 제1 도파로는 입력 포트(input port) 및 쓰루 포트(through port)를 포함하고, 상기 제2 도파로는 애드 포트(add port) 및 드롭 포트(drop port)를 포함하는 링공진기
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6
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로를 덮는 유전체층을 더 포함하되,상기 유전체층은 산화막(SiO2) 또는 폴리머인 링공진기
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7
제 6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로와 상기 유전체층 사이에 개재된 보조 유전체층을 더 포함하되,상기 보조 유전체층은 실리콘 산질화막(SiON)인 링공진기
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8
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로를 통해 도파되는 광은 TM 모드(Transverse Magnetic mode) 광인 링공진기
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9
기판 상에 상호 이격되어 배치된 제1 및 제2 광 도파로들;상기 제1 및 제2 광 도파로들 사이에 일렬로 배치된 적어도 하나의 링 도파로를 포함하는 적어도 하나의 채널부를 포함하되,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로는 실리콘 질화물(SiN)이며, 상기 링 도파로의 폭은 1
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10
제 9 항에 있어서,상기 채널부는 상기 제1 및 제2 도파로들 사이에 복수개로 이격 배치된 링 도파로들을 포함하되, 상기 링 도파로들 사이의 간격은 200nm 내지 1mm인 링공진기
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11
제 9 항에 있어서,상기 채널부는 상기 제1 및 제2 도파로들 사이에 복수개로 이격 배치된 링공진기
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12
제 9 항에 있어서,상기 링 도파로의 반지름은 8 내지 50㎛인 링공진기
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13
제 9 항에 있어서,상기 제1 도파로는 입력 포트(input port) 및 쓰루 포트(through port)를 포함하고, 상기 제2 도파로는 애드 포트(add port) 및 드롭 포트(drop port)를 포함하는 링공진기
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14
제 9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로를 덮는 유전체층을 더 포함하되,상기 유전체층은 산화막(SiO2) 또는 폴리머인 링공진기
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15
제 14 항에 있어서,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로와 상기 유전체층 사이에 개재된 보조 유전체층을 더 포함하되,상기 보조 유전체층은 실리콘 산질화막(SiON)인 링공진기
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16
제 9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 도파로들 및 상기 링 도파로를 통해 도파되는 광은 TM 모드(Transverse Magnetic mode) 광인 링공진기
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