맞춤기술찾기

이전대상기술

하부 인덕터를 포함하는 실리콘 인터포저

  • 기술번호 : KST2015089744
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 기판의 상부 뿐만 아니라 하부에도 인덕터를 형성함으로써 반도체 패키지의 전체 면적을 줄이고 집적도를 더욱 향상시킬 수 있는 실리콘 인터포저가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 인터포저는, 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판의 상부에 형성되는 상부 인덕터층 및 상기 실리콘 기판의 하부에 형성되는 하부 인덕터층을 포함한다.
Int. CL H01L 23/58 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110102108 (2011.10.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0037609 (2013.04.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배현철 대한민국 대전광역시 유성구
2 최광성 대한민국 대전광역시 유성구
3 문종태 대한민국 대전광역시 유성구
4 박종문 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0781813-26
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0064539-16
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0785027-18
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1110974-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 상부에 형성되는 상부 인덕터층; 및상기 실리콘 기판의 하부에 형성되는 하부 인덕터층을 포함하는 실리콘 인터포저
2 2
제 1항에 있어서,상기 상부 인덕터층은상기 실리콘 기판의 상부면에 형성되는 제 1 상부 절연층;상기 제 1 상부 절연층 상부에 형성되는 제 1 상부 금속층;상기 제 1 상부 금속층 상부에 상기 제 1 상부 금속층과 이격되어 형성되는 제 2 상부 금속층;상기 제 1 상부 절연층 상부에 형성되며, 상기 제 1 상부 금속층과 상기 제 2 상부 금속층을 분리하기 위한 제 2 상부 절연층; 및상기 제 1 상부 금속층과 상기 제 2 상부 금속층을 전기적으로 연결하는 제 1 비아를 포함하고,상기 제 1 상부 금속층, 상기 제 2 상부 금속층 및 상기 제 1 비아가 전기적으로 연결되어 상부 인덕터를 형성하는실리콘 인터포저
3 3
제 1항에 있어서,상기 하부 인덕터층은상기 실리콘 기판의 하부면에 형성되는 제 1 하부 절연층;상기 제 1 하부 절연층 하부에 형성되는 제 1 하부 금속층;상기 제 1 하부 금속층 하부에 상기 제 1 하부 금속층과 이격되어 형성되는 제 2 하부 금속층;상기 제 1 하부 절연층 하부에 형성되며, 상기 제 1 하부 금속층과 상기 제 2 하부 금속층을 분리하기 위한 제 2 하부 절연층; 및상기 제 1 하부 금속층과 상기 제 2 하부 금속층을 전기적으로 연결하는 제 2 비아를 포함하고,상기 제 1 하부 금속층, 상기 제 2 하부 금속층 및 상기 제 2 비아가 전기적으로 연결되어 하부 인덕터를 형성하는실리콘 인터포저
4 4
제 1항에 있어서,상기 실리콘 기판을 관통하는 관통 실리콘 비아(TSV)를 더 포함하는 실리콘 인터포저
5 5
제 4항에 있어서,상기 상부 인덕터층에 형성되는 상부 인덕터와 상기 하부 인덕터층에 형성되는 하부 인덕터는 상기 관통 실리콘 비아를 통해 전기적으로 연결되는실리콘 인터포저
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08723292 US 미국 FAMILY
2 US20130087884 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013087884 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8723292 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.