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실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 상부에 형성되는 상부 인덕터층; 및상기 실리콘 기판의 하부에 형성되는 하부 인덕터층을 포함하는 실리콘 인터포저
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제 1항에 있어서,상기 상부 인덕터층은상기 실리콘 기판의 상부면에 형성되는 제 1 상부 절연층;상기 제 1 상부 절연층 상부에 형성되는 제 1 상부 금속층;상기 제 1 상부 금속층 상부에 상기 제 1 상부 금속층과 이격되어 형성되는 제 2 상부 금속층;상기 제 1 상부 절연층 상부에 형성되며, 상기 제 1 상부 금속층과 상기 제 2 상부 금속층을 분리하기 위한 제 2 상부 절연층; 및상기 제 1 상부 금속층과 상기 제 2 상부 금속층을 전기적으로 연결하는 제 1 비아를 포함하고,상기 제 1 상부 금속층, 상기 제 2 상부 금속층 및 상기 제 1 비아가 전기적으로 연결되어 상부 인덕터를 형성하는실리콘 인터포저
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제 1항에 있어서,상기 하부 인덕터층은상기 실리콘 기판의 하부면에 형성되는 제 1 하부 절연층;상기 제 1 하부 절연층 하부에 형성되는 제 1 하부 금속층;상기 제 1 하부 금속층 하부에 상기 제 1 하부 금속층과 이격되어 형성되는 제 2 하부 금속층;상기 제 1 하부 절연층 하부에 형성되며, 상기 제 1 하부 금속층과 상기 제 2 하부 금속층을 분리하기 위한 제 2 하부 절연층; 및상기 제 1 하부 금속층과 상기 제 2 하부 금속층을 전기적으로 연결하는 제 2 비아를 포함하고,상기 제 1 하부 금속층, 상기 제 2 하부 금속층 및 상기 제 2 비아가 전기적으로 연결되어 하부 인덕터를 형성하는실리콘 인터포저
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 기판을 관통하는 관통 실리콘 비아(TSV)를 더 포함하는 실리콘 인터포저
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제 4항에 있어서,상기 상부 인덕터층에 형성되는 상부 인덕터와 상기 하부 인덕터층에 형성되는 하부 인덕터는 상기 관통 실리콘 비아를 통해 전기적으로 연결되는실리콘 인터포저
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