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기판;상기 기판 상에 형성되는 열 흡수부, 레그, 열 방출부; 및상기 기판과 상기 열 방출부 사이에 형성되어, 상기 열 방출부에서 전달된 열을 방출하는 열 방출 물질;을 포함하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 레그의 일단은 상기 열 흡수부에 연결되고, 상기 레그의 타단은 상기 열 방출부에 연결되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 열 흡수부, 상기 레그 및 상기 열 방출부는 서로 수평(Lateral)하게 연결되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 열 방출부의 일부 또는 전체와 상기 열 방출 물질의 일부 또는 전체는 서로 접촉되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 열 방출부의 일부 또는 전체와 상기 열 방출 물질의 일부 또는 전체 사이에 다른 물질 또는 빈 공간이 존재하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 열 방출부의 일부 또는 전체와 상기 열 방출 물질의 일부 또는 전체 사이에 상기 열 방출부로부터 방출된 열을 상기 열 방출 물질로 전달하는 적어도 하나 이상의 탐침(Probe)이 존재하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 열 방출 물질은 탐침(Probe) 형태로 이루어지고, 상기 열 방출부의 일부 또는 전체와 연결되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 레그는 Te, Si, Sb, O, C 및 Ge 중 적어도 하나를 포함하는 물질 또는 그래핀 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 열 방출 물질은 Ag, Cu, Au, Al, W, Ti, Co, Si, Ge, C, O 및 N 중 적어도 하나를 포함하는 물질 또는 그래핀 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 열 흡수부 사이, 상기 기판과 상기 레그 사이에 빈 공간 또는 열전도도가 낮은 물질이 존재하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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기판 상에 산화막과 열 방출 물질을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 열 흡수부와 레그를 형성하고, 상기 열 방출 물질 상에 열 방출부를 형성하는 단계; 및상기 산화막을 제거하는 단계;를 포함하는 열전소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 열 흡수부, 상기 레그 및 상기 열 방출부는 서로 수평(Lateral)하게 연결되는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 열 방출 물질은 Ag, Cu, Au, Al, W, Ti, Co, Si, Ge, C, O 및 N 중 적어도 하나를 포함하는 물질 또는 그래핀 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 기판과 상기 열 흡수부 사이, 상기 기판과 상기 레그 사이에 열전도도가 낮은 물질을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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기판 상에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 열 흡수부, 레그 및 열 방출부를 형성하는 단계;상기 산화막을 제거하는 단계; 및상기 기판과 열 방출부 사이에 열 방출 물질을 형성하는 단계;를 포함하는 열전소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 열 흡수부, 상기 레그 및 상기 열 방출부는 서로 수평(Lateral)하게 연결되는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 열 방출 물질은 Ag, Cu, Au, Al, W, Ti, Co, Si, Ge, C, O 및 N 중 적어도 하나를 포함하는 물질 또는 그래핀 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 기판과 상기 열 흡수부 사이, 상기 기판과 상기 레그 사이에 열전도도가 낮은 물질을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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