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희생기판 상에 분리층을 형성하는 단계;상기 분리층 상에 제 1 전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층 및 제 2 전극을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제 2 전극 상에 유연 기판을 형성하는 단계; 및상기 분리층을 제거하여 상기 희생기판을 상기 제 1 전극으로부터 탈착시키는 단계를 포함하되,상기 분리층은 갈륨산화질화막(GaOxNy)으로 형성되며, 여기서 0003c#x003c#1이고 0003c#y003c#1인 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 분리층을 제거하는 단계는 자외선 레이저를 이용하여 상기 분리층을 녹이는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 자외선 레이저는 KrF 엑시머 레이저인 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 분리층을 제거하는 단계는 염기성 용액을 이용하여 상기 분리층을 선택적으로 제거하는 습식 식각 공정을 진행하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 염기성 용액은 암모니아수인 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분리층은 상기 갈륨산화질화막(GaOxNy) 내에 첨가된 0
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제 6 항에 있어서,상기 분리층에 포함된 나트륨은 상기 광흡수층을 형성하는 동안 상기 제 1 전극을 통해 상기 광흡수층으로 확산되는 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수층은 적어도 구리, 인듐 및 셀레늄을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연 기판을 형성하는 단계는 상기 제 2 전극 상에 접착막을 개재하여 상기 유연기판을 접착시키는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연 기판은 80% 이상의 광투과율을 가지는 태양 전지의 제조 방법
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희생기판 상에 분리층을 형성하는 단계;상기 분리층 상에 제 1 전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층 및 제 2 전극을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제 2 전극 상에 유연 기판을 형성하는 단계; 및상기 분리층을 제거하여 상기 희생기판을 상기 제 1 전극으로부터 탈착시키는 단계를 포함하되,상기 분리층은 나트륨을 0
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제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 광흡수층;상기 광흡수층 상의 버퍼층;상기 버퍼층 상의 윈도우층;상기 윈도우층 상의 제 2 전극;상기 제 2 전극 상의 접착층; 및상기 접착층 상의 유연 기판을 포함하되, 상기 광흡수층은 나트륨을 포함하는 태양 전지
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제 12 항에 있어서,상기 유연 기판은 유연성을 가지며, 80% 이상의 광투과율을 가지는 고분자막을 포함하는 태양 전지
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제 13 항에 있어서,상기 유연 기판은 에틸렌 비닐 아세테이트(Ethylene vinyl acetate)를 포함하는 태양 전지
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