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하부 및 상부 캐리어 운반층들 사이에 개재된 광전 변환층; 및상기 상부 캐리어 운반층 상에 배치된 공통 전극을 포함하되,상기 광전 변환층은 실리콘 나노 결정들(Silicon Nanocrystals)을 함유하는 복수개의 광 흡수층들을 포함하고, 상기 복수개의 광 흡수층들의 상기 실리콘 나노 결정들의 크기는 서로 다른 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노 결정의 크기는 상기 공통 전극에 가까울수록 순차적으로 증가되는 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환층은 상기 실리콘 나노 결정들을 함유하는 실리콘 질화막(SiNx)을 포함하는 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 상부 캐리어 운반층 및 상기 공통 전극 사이에 개재된 금속 입자층을 더 포함하되,상기 금속 입자층은 나노미터 오더의 크기를 갖는 금속 입자들을 포함하는 광 검출기 소자
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제 4 항에 있어서,상기 금속 입자층은 금(Au), 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 금속 입자들을 포함하는 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 캐리어 운반층은 제1 도전형으로 도핑된 반도체 물질을 포함하는 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 상부 캐리어 운반층은 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 반도체 물질을 포함하는 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 상부 캐리어 운반층은 실리콘 카바이드계 물질을 포함하는 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 공통 전극은 ITO(Indium tin oxide) 전극 또는 SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO 등의 물질을 포함하는 전도성 전극인 광 검출기 소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극 상에 배치된 상부 전극 및 상기 하부 캐리어 운반층 아래에 배치된 하부 전극을 더 포함하되,상기 상부 및 하부 전극들은 니켈(Ni) 또는 금(Au)을 포함하는 이미지 센서
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하부 캐리어 운반층 상에 차례로 배치된 제1 내지 제3 광전 변환층들; 및상기 제3 광전 변환층들 상에 배치된 상부 캐리어 운반층을 포함하되,상기 제1 광전 변환층은 제1 크기를 갖는 제1 나노 결정을 포함하고, 상기 제2 광전 변환층은 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 제2 나노 결정을 포함하고, 상기 제3 광전 변환층은 상기 제2 크기보다 작은 제3 크기를 갖는 제3 나노 결정을 포함하는 광 검출기 소자
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제 11 항에 있어서,상기 상부 캐리어 운반층의 상부면으로부터 광이 입사되는 광 검출기 소자
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제 11 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 광전 변환층들은 실리콘 질화막을 포함하는 광 검출기 소자
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제 11 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 나노 결정들은 실리콘 나노 결정인 광 검출기 소자
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