| 1 |
1
일단이 제1노드에 연결되고 인덕턴스 값이 가변하는 제1가변 인덕터부;상기 제1노드와 제2노드 사이에 연결되고 인덕턴스 값이 가변하는 제2가변 인덕터부;일단이 상기 제1노드에 연결되고 캐패시턴스 값이 가변하는 제1가변 캐패시터부; 및일단이 상기 제2노드에 연결되고 캐패시턴스 값이 가변하는 제2가변 캐패시터부를 포함하고,상기 제1가변 캐패시터부의 타단 및 상기 제2가변 캐패시터부의 타단은 접지전압단에 연결되어, 상기 제1가변 인덕터부의 타단에 연결된 회로와 상기 제2노드에 연결된 회로 사이에서 임피던스 매칭을 수행하는 임피던스 매칭회로
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 제1가변 인덕터부 및 상기 제2가변 인덕터부는 와이어 본드(wirebond)를 포함하며, 상기 제1가변 인덕터부 및 상기 제2가변 인덕터부의 인덕턴스는 상기 와이어 본드에 포함된 와이어의 개수 및 길이에 따라 결정되는 임피던스 매칭회로
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 제1가변 캐패시터부 및 상기 제2가변 캐패시터부 각각은일정한 캐패시턴스 값을 가지는 고정 캐패시터;상기 고정 캐패시터에 병렬로 연결되며 양단에 인가되는 전압에 따라 캐패시턴스 값이 달라지는 다이오드; 및상기 다이오드의 양단에 전압을 인가하기 위한 바이어싱부를 포함하는 임피던스 매칭회로
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 바이어싱부는 상기 다이오드에 역방향 바이어스 전압이 인가되도록 하는 임피던스 매칭회로
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서,상기 다이오드는 자신의 양단에 인가되는 역방향 바이어스 전압의 크기가 커지면 캐패시턴스 값이 작아지는 임피던스 매칭회로
|
| 6 |
6
전력 증폭부;일단이 부하가 연결된 출력노드에 연결되며 임피던스 매칭을 수행하는 출력 임피던스 매칭부; 및상기 전력 증폭부의 출력단이 연결되는 제1노드 및 상기 출력 임피던스 매칭부의 타단이 연결되는 제2노드를 포함하되 임피던스 매칭을 수행하는 내부 임피던스 매칭부를 포함하고, 상기 내부 임피던스 매칭부의 임피던스는 가변하는 전력 증폭 회로
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 내부 임피던스 매칭부는상기 전력 증폭부의 출력단과 상기 제1노드 사이에 연결되고 인덕턴스 값이 가변하는 제1가변 인덕터부;상기 제1노드와 상기 제2노드 사이에 연결되고 인덕턴스 값이 가변하는 제2가변 인턱터부;상기 제1노드와 접지전압단 사이에 연결되고 캐패시턴스 값이 가변하는 제1가변 캐패시터부; 및상기 제2노드와 상기 접지전압단 사이에 연결되고 캐패시턴스 값이 가변하는 제2가변 캐패시터부를 포함하는 전력 증폭 회로
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서,상기 제1가변 인덕터부 및 상기 제2가변 인덕터부는 와이어 본드(wirebond)를 포함하며, 상기 제1가변 인덕터부 및 상기 제2가변 인덕터부의 인덕턴스는 상기 와이어 본드에 포함된 와이어의 개수 및 길이에 따라 결정되는 전력 증폭 회로
|
| 9 |
9
제 7항에 있어서,상기 제1가변 캐패시터부 및 상기 제2가변 캐패시터부 각각은일정한 캐패시턴스 값을 가지는 고정 캐패시터;상기 고정 캐패시터에 병렬로 연결되며 양단에 인가되는 전압에 따라 캐패시턴스 값이 달라지는 다이오드; 및상기 다이오드의 양단에 전압을 인가하기 위한 바이어싱부를 포함하는 전력 증폭 회로
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서,상기 바이어싱부는 상기 다이오드에 역방향 바이어스 전압이 인가되도록 하고, 상기 다이오드는 자신의 양단에 인가되는 역방향 바이어스 전압의 크기가 커지면 캐패시턴스 값이 작아지는 전력 증폭 회로
|
| 11 |
11
기판 상의 제1영역에 양단에 인가되는 전압에 따라 캐패시턴스 값이 달라지는 제1소자를 형성하는 단계;상기 제1영역과 인접한 상기 기판 상의 제2영역에 고정된 캐패시턴스 값을 가지는 제2소자를 형성하는 단계; 및상기 제1소자와 상기 제2소자를 연결하고, 상기 제1소자 및 상기 제2소자를 외부와 연결하기 위한 위한 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 가변 캐패시터의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서,상기 제1소자는 바이폴라 트랜지스터인 가변 캐패시터의 제조방법
|
| 13 |
13
제 12항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터는 다이오드를 포함하는 가변 캐패시터의 제조방법
|
| 14 |
14
제 11항에 있어서,상기 제2소자는 유전체를 포함하는 캐패시터인 가변 캐패시터의 제조방법
|
