맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물 전자소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015090140
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 전자소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 갈륨(Gallium: Ga), 알루미늄(Aluminum: Al), 인듐(Indium: In) 등의 3족 원소 및 질소를 포함하는 3족 질화물(III-Nitride) 반도체 전자소자에서 사용되는 반절연성 질화갈륨(GaN)층의 재성장 기술(Epitaxially Lateral Over-Growth: ELOG)을 통해 다양한 형태의 질화물 집적구조를 동일 기판 위에 구현할 수 있는 질화물 전자소자및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
CPC H01L 29/812(2013.01) H01L 29/812(2013.01) H01L 29/812(2013.01)
출원번호/일자 1020120018591 (2012.02.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1616156-0000 (2016.04.21)
공개번호/일자 10-2013-0010823 (2013.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20160427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110071343   |   2011.07.19
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.17)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배성범 대한민국 대전 유성구
2 남은수 대한민국 대전 서구
3 문재경 대한민국 대전 유성구
4 김성복 대한민국 대전 유성구
5 김해천 대한민국 대전 유성구
6 주철원 대한민국 대전 유성구
7 고상춘 대한민국 대전 유성구
8 임종원 대한민국 대전 유성구
9 안호균 대한민국 대전 유성구
10 장우진 대한민국 대전 서구
11 박영락 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인한벗 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 *, 구세군빌딩 **층 (충정로*가)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0149014-40
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0304444-17
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0064539-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.07.01 수리 (Accepted) 9-1-2015-0042355-30
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0472480-41
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0766454-80
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0766455-25
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0892517-82
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0043436-90
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.01.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0043461-21
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0098574-06
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
기판상에 저온 완충층, 제1 반절연성 질화물층, 제1 채널층 및 제1 장벽층이 순차적으로 적층된 에피구조를 형성하는 단계와,상기 제1 장벽층에 패턴 형성을 위한 제1 유전층을 적층하고 상기 제1 장벽층, 상기 제1 채널층 및 상기 제1 반절연성 질화물층의 일부를 식각하는 단계와,상기 식각된 제1 반절연성 질화물층에 제2 반절연성 질화물층을 재성장시키는 단계와,상기 제2 반절연성 질화물층에 제2 채널층 및 제2 장벽층을 순차적으로 적층하는 단계와,상기 제2 장벽층에 패턴 형성을 위한 제2 유전층을 적층하고 상기 제2 장벽층, 상기 제2 채널층 및 상기 제2 반절연성 질화물층을 식각하는 단계와,상기 제1 및 제2 유전층을 제거하고 상기 제1 및 제2 장벽층에 금속 전극층을 적층하는 단계를 포함하는 질화물 전자소자의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제2 유전층은 상기 제1 유전층의 패턴과 반대로 적층하는 것을 특징으로 하는 질화물 전자소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08723222 US 미국 FAMILY
2 US08937002 US 미국 FAMILY
3 US20130020649 US 미국 FAMILY
4 US20140213045 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 정보통신산업원천기술개발사업 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술