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제 1 도전형으로 도핑된 기판의 활성 영역 상에 마스크 막을 형성하는 단계;상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형 불순물을 상기 기판에 이온주입하여 상기 마스크막 아래의 상기 활성 영역과, 상기 마스크막으로부터 노출된 비 활성영역 내에 제 1 도핑 영역을 형성하는 단계;상기 비 활성 영역 상에 소자 분리막을 형성하는 단계;상기 마스크막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 도핑 영역보다 높은 농도의 상기 제 2 도전형 불순물을 상기 활성 영역 내의 상기 제 1 도핑 영역 상부에 이온주입하여 상기 제 1 도핑 영역보다 얕은 제 2 도핑 영역을 형성하는 단계를 포함하는 포토멀티플라이어의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑 영역은 카운터 이온주입공정에 의해 형성된 포토 멀티플라이어의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 카운터 이온주입공정은 다중 이온주입 방법을 포함하는 포토 멀티플라이어의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 도핑 영역은 상기 소자분리막의 자기 정렬 이온주입공정 또는 자기정렬 확산공정에 의해 형성되는 포토멀티플라이어의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 소자 분리막은 로커스 방법으로 형성된 실리콘 산화막을 포함하는 포토멀티플라이어의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 마스크 막은 실리콘 질화막을 포함하는 포토멀티플라이어의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 실리콘 질화막은 인산, 불산, 또는 브롬산에 의해 제거되는 포토멀티플라이어의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 도핑 영역 및 상기 소자 분리막 상에 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 비 활성 영역의 상 제 1 층간 절연막 상에 소멸 저항을 형성하는 단계;상기 제 1 층간 절연막 및 상기 소멸 저항 상에 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 소멸 저항 상의 제 2 층간 절연막과, 상기 제 2 도핑 영역 상의 상기 제 1 및 제 2 층간 절연막 각각의 일부를 제거하여 콘택 홀들을 형성하는 단계;상기 비 활성 영역의 상기 제 2 층간 절연막 상에 제 1 배선과, 상기 콘택 홀들을 통해 상기 제 2 도핑 영역과 상기 소멸 저항들을 연결하는 제 2 배선을 형성하는 단계; 및상기 기판의 바닥에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 포토 멀티플라이어의 제조방법
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활성 영역과 비 활성 영역으로 정의된 기판;상기 활성 영역의 상기 기판 하부와, 상기 활성 영역의 상부에 형성된 제 1 도핑 영역 및 제 2 도핑 영역을 포함하는 셀 다이오드;상기 비 활성 영역 상에 형성된 소자 분리막;상기 소자 분리막과 상기 제 2 도핑 영역 상에 형성된 제 1 층간 절연막; 및상기 비 활성 영역의 상기 제 1 층간 절연막 상에 형성된 소멸 저항을 포함하되,상기 제 1 도핑 영역은 상기 비 활성 영역까지 연장된 포토 멀티플라이어
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제 9 항에 있어서, 상기 제 1 도핑 영역은 상기 비 활성 영역에서 상기 활성 영역보다 깊게 배치된 포토 멀티플라이어
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 도핑 영역은 상기 활성 영역의 상기 기판 상부 표면에서부터 상기 제 1 도핑 영역 보다 얕은 상기 기판의 상부까지 배치된 포토 멀티플라이어
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제 9 항에 있어서, 상기 소자 분리막과 상기 제 1 층간 절연막은 실리콘 산화막을 포함하는 포토 멀티플라이어
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