요약 | 본 발명에 따른 발광 다이오드는 기판, 기판 위에 위치하는 n형 반도체층, n형 반도체층 위에 위치하는 활성층, 활성층 위에 위치하는 p형 반도체층, p형 반도체 층 위에 위치하는 전류 확산 층, 전류 확산층 위에 위치하는 투명 전극, 투명 전극 위에 위치하는 p형 전극, 그리고 n형 반도체층 위에 위치하는 n형 전극을 포함하고, 투명 전극은 그래핀으로 이루어진다. |
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Int. CL | H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01) |
CPC | H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110135622 (2011.12.15) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2013-0068448 (2013.06.26) 문서열기 |
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국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 1 |