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반도체 레이저 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015090310
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 선택된 영역 내에만 레이저 발진을 위한 게르마늄 단결정막을 선택적 에피 성장방법으로 형성되도록 하여, 패브리 페로 양단의 표면 거칠기를 최소화하도록 하고, 반도체 레이저 제작 공정에서 절단 및 연마 공정 필요 없도록 한다.
Int. CL H01S 5/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110136674 (2011.12.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0069116 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.20)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인규 대한민국 대전 유성구
2 김경옥 대한민국 대전광역시 유성구
3 김상훈 대한민국 대전광역시 서구
4 주지호 대한민국 경기도 고양시 일산서구
5 장기석 대한민국 대전광역시 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1004114-96
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0417546-82
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033890-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0908644-80
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0151261-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0732498-63
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-1233202-38
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1233203-84
11 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0290046-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 마스크막을 형성하고;상기 마스크막을 패터닝하여, 상기 기판을 노출하는 개구부를 포함하는 마스크 패턴을 형성하고;상기 개구부에 게르마늄 단결정막을 선택적 에피택시 방법으로 형성하여 패브리 페롯 공동을 제공하고; 그리고상기 게르마늄 단결정막 상에 전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 기판은 상기 기판의 일면 상에 제공되는 스페이서 및 광결합기를 포함하고,상기 마스크막은 상기 기판의 상기 일면 상에 제공되어 상기 스페이서 및 상기 광결합기를 덮도록 형성되고,상기 마스크 패턴은 상기 개구부가 상기 스페이서와 상기 광결합기 사이의 상기 기판의 상기 일면을 노출하도록 형성되고,상기 패브리 페롯 공동은 상기 스페이서와 상기 광결합기 사이의 상기 기판의 상기 일면 상에 형성되고,상기 마스크 패턴은 상기 패브리 페롯 공동과 상기 스페이서 사이에 제공되어 상기 패브리 페롯 공동의 일단과 접하고, 상기 패브리 페롯 공동과 상기 광결합기 사이에 제공되어 상기 패브리 페롯 공동의 타단과 접하는 반도체 레이저 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 마스크막은 실리콘 산화물로 형성되는 반도체 레이저 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 것은, 상기 마스크막을 불산에 의해 습식 식각하는 것을 포함하는 반도체 레이저 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판 또는 소이 기판인 반도체 레이저 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 스페이서는 상기 패브리 페로 공동의 상기 일단으로부터 제1 간격으로 이격되는 반도체 레이저 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 스페이서는 금속 또는 실리콘 산화막을 포함하는 반도체 레이저 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 스페이서는 그레이팅 미러를 포함하는 반도체 레이저 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 그레이팅 미러는 포토닉 밴드갭 구조를 갖는 반도체 레이저 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서, 상기 스페이서는 상기 마스크 패턴과 접하는 반도체 레이저 제조방법
10 10
청구항 5에 있어서, 상기 광결합기는 상기 패브리 페로 공동의 상기 타단으로부터 제2 간격으로 이격되는 반도체 레이저 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 광결합기는 광 도파로인 반도체 레이저 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 광 도파로는 실리콘 단결정 또는 실리콘 질화막을 포함하는 반도체 레이저 제조방법
13 13
청구항 10에 있어서,상기 광결합기는 상기 마스크 패턴과 접하는 반도체 레이저 제조방법
14 14
청구항 10에 있어서, 상기 패브리 페로 공동의 상부면은, 상기 기판의 상기 일면으로부터, 상기 스페이서 및 상기 광결합기의 상부면과 다른 높이를 갖도록 형성되는 반도체 레이저 제조방법
15 15
기판;상기 기판 상에 선택적 에피택시 방법으로 성장된 게르마늄 단결정의 패브리 페로 공동;상기 패브리 페로 공동의 일단에 인접하여 이격된 스페이서; 상기 패브리 페로 공동의 타단에 인접하여 이격된 광결합기; 및상기 패브리 페로 공동의 상기 일단과 상기 스페이서 사이, 및 상기 패브리 페로 공동의 상기 타단과 상기 광결합기 사이에 개재되는 마스크 패턴을 포함하고,상기 패브리 페로 공동의 적어도 일부는 상기 마스크 패턴과 접하고,상기 패브리 페로 공동의 상부면의 높이는 상기 스페이서 또는 상기 광결합기의 높이와 다른 반도체 레이저
16 16
청구항 15 있어서,상기 스페이서는 금속 또는 실리콘 산화막을 포함하는 반도체 레이저
17 17
청구항 16에 있어서,상기 패브리 페로 공동은 상기 스페이서와 인접하는 방향으로 제 1 경면을 갖되, 상기 스페이서는 상기 제 1 경면을 노출하는 트렌치를 포함하는 반도체 레이저
18 18
청구항 17에 있어서,상기 광결합기는 광 도파로인 반도체 레이저
19 19
청구항 18에 있어서, 상기 광 도파로는 실리콘 단결정 또는 실리콘 질화막을 포함하는 반도체 레이저
20 20
청구항 15에 있어서,상기 마스크 패턴은 상기 패브리 페로 공동의 상기 일단 및 상기 타단과 접하고, 상기 스페이서의 상면 및 상기 광결합기의 상면을 덮는 반도체 레이저
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 정보통신산업원천기술개발사업 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술