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하기 화학식 3으로 표시되는 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산:[화학식 3]상기 화학식 3에서, R2는 단순 결합, 우레탄 결합, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이고;R3은 하이드록시기 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시기이고;R5는 단순 결합, 우레탄 결합, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이고;A는 아크릴레이트기(acrylate), 메타크릴레이트기(methacrylate), 글리시딜에테르기(glycidyl ether), 옥세탄기(oxetane), 에폭시시클로헥산기(epoxy cyclohexane) 및 비닐에테르기(vinyl ether)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 광경화성 작용기이며;n은 4 내지 10의 정수이다
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제1항에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 화합물의 가수 분해 축합 반응에 의해 제조되는 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산: [화학식 1]상기 화학식 1에서,R1은 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 할로겐이고, R2는 단순 결합, 우레탄 결합, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이고, R3은 하이드록시기 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시기이며;n은 4 내지 10의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 화학식 3의 R2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, R3는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이며, R5는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, A는 아크릴레이트기인 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산
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제2항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이고, R2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, R3는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이며, 상기 화학식 2의 R4는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이고, R5는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, A는 아크릴레이트기인 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산에 광 개시제를 혼합하여 자외선 조사에 의해 경화된 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산 네트워크
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제 5항에 있어서, 생체 내 단백질 분자에 대해 2
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제5항의 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산 네트워크를 포함하는 항생물부착성 장치
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제7항에 있어서, 상기 항생물부착성 장치는 바이오메디컬 디바이스, 바이오센서, 진단배열 장치, 이식 장치, 전달 장치 및 랩온어칩으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 항생물부착성 장치
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하기 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합하여 하기 화학식 3으로 표시되는 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산을 형성하는 단계;상기 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산 및 광 개시제를 포함하는 조성물을 기재 상에 도포하는 단계; 및상기 도포된 조성물에 UV를 조사하여 상기 광경화성 폴리에틸렌글리콜 실세스퀴옥산을 경화 및 나노 패터닝하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조 방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3]상기 화학식 1, 2 및 3에서, R1은 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 할로겐이고;R2는 단순 결합, 우레탄 결합, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이고;R3은 하이드록시기 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시기이고;R4는 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 할로겐이고; R5는 단순 결합, 우레탄 결합, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이고;A는 아크릴레이트기(acrylate), 메타크릴레이트기(methacrylate), 글리시딜에테르기(glycidyl ether), 옥세탄기(oxetane), 에폭시시클로헥산기(epoxy cyclohexane) 및 비닐에테르기(vinyl ether)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 광경화성 작용기이며;n은 4 내지 10의 정수이다
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제9항에 있어서, 상기 나노 패터닝은 UV 나노임프린트(UV nanoimprint), UV 엠보싱(UV embossing) 및 UV 레플리카 몰딩(UV replica molding)으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 수행되는 나노 패턴의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 광 개시제는 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논(DMPA, 2,2'-dimethoxy-2-phenylacetophenone), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(HMPP, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one), 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐포스핀 옥사이드(2,4,6-Trimethylbenzoyl-diphenylphosphine Oxide) 및 디페닐 2,4,6-트리메틸벤조일 포스핀 옥사이드(Diphenyl 2,4,6 - trimethylbenzoyl phosphine oxide)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 나노 패턴의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 나노 패턴은 25nm 이하의 하프피치를 갖는 나노 패턴의 제조 방법
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