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진공 용기의 일 단부에 구비되되, 전계 방출 에미터를 포함하는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극에 인접하도록 상기 진공 용기의 내부에 구비되되, 제 1 개구를 갖는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되면서, 상기 캐소드 전극으로부터 상기 게이트 전극보다 먼 상기 게이트 전극의 일 면 상에 구비되되, 상기 제 1 개구보다 넓은 폭을 갖는 제 2 개구를 갖는 집속 전극; 및상기 진공 용기가 연장되는 방향의 타 단부 측의 상기 진공 용기의 내부에 구비되는 애노드 전극을 포함하되,상기 집속 전극의 높이는 상기 제 2 개구의 폭과 동일하고,상기 제 1 개구의 폭은 상기 제 2 개구의 폭의 1/3 이하이고,상기 집속 전극은 상기 게이트 전극의 상기 일 면과 물리적으로 접촉된 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 집속 전극의 외주는 상기 게이트 전극의 외주보다 작은 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 제 1 개구의 평단면은 원형 또는 다각형인 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 제 1 개구의 상기 폭은 상기 전계 방출 에미터의 평단면의 최대 폭보다 큰 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 제 1 개구는 상기 게이트 전극을 관통하는 형태를 갖는 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 전계 방출 에미터의 평단면은 원형 또는 다각형인 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 제 2 개구의 평단면은 원형 또는 다각형인 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 제 2 개구는 상기 집속 전극을 관통하는 형태를 갖는 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 전계 방출 에미터는 나노 물질을 포함하는 전계 방출 엑스선원
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제 1항에 있어서,상기 애노드 전극은 상기 캐소드 전극에 대해 기울어져 있는 전계 방출 엑스선원
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제 1항의 구조를 갖는 전계 방출 엑스선원의 전자 빔 집속 방법에 있어서,상기 집속 전극의 상기 높이를 조절하거나, 또는 상기 제 1 개구의 상기 폭을 변화시키는 단계를 포함하는 전자 빔 집속 방법
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제 12항에 있어서,상기 전계 방출 에미터와 상기 게이트 전극 사이의 거리를 변화시키는 단계를 더 포함하는 전자 빔 집속 방법
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제 12항에 있어서,상기 집속 전극을 상기 게이트 전극의 상기 일 면과 물리적으로 접촉시키는 전자 빔 집속 방법
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제 12항에 있어서,상기 애노드 전극은 상기 캐소드 전극에 대해 기울어져 있는 전자 빔 집속 방법
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