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제 1 도전형을 갖고, 리세스된 영역을 갖는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상기 리세스된 영역의 바닥면과 접촉되고, 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형의 이온 주입 층;상기 이온 주입 층의 측벽과 상기 리세스된 영역의 측벽 사이에 배치되는 확산 방지 패턴; 및상기 확산 방지 패턴과 이격되며, 상기 이온 주입 층에 배치되는 컨택 전극을 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 확산 방지 패턴의 하면은 상기 이온 주입 층의 하면과 같은 높이에 배치되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 컨택 전극의 상면과 접촉되며, 상기 이온 주입 층의 상면을 덮는 상부 전극; 및상기 반도체 기판의 하면에 배치되는 하부 전극을 더 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 불순물 층을 포함하고, 상기 리세스된 영역은 상기 불순물 층 내에 배치되는 반도체 소자
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제 4 항에 있어서,상기 반도체 기판의 폭은 상기 불순물 층의 폭보다 넓고, 상기 반도체 기판의 상면 가장자리가 노출되는 반도체 소자
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6
제 5 항에 있어서,상기 컨택 전극의 상면과 접촉되며, 상기 이온 주입 층의 상면을 덮는 상부 전극; 및상기 불순물 층과 이격되며, 노출된 상기 반도체 기판의 상면에 배치되는 하부 전극을 더 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 컨택 전극의 하면은 상기 확산 방지 패턴의 하면 보다 위에 배치되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 확산 방지 패턴은 절연물질 또는 반도체 물질을 포함하는 반도체 소자
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제 1 도전형을 갖고, 리세스된 영역을 갖는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상기 리세스된 영역의 바닥면과 접촉되고, 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형의 이온 주입 층;상기 이온 주입 층의 측벽과 상기 리세스된 영역의 측벽 사이에 배치되는 확산 방지 패턴; 및상기 확산 방지 패턴과 이격되며, 상기 이온 주입 층을 관통하는 소자 분리 패턴을 포함하는 반도체 소자
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10
제 9 항에 있어서,상기 확산 방지 패턴의 하면은 상기 이온 주입 층의 하면과 같은 높이에 배치되는 반도체 소자
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11
제 9 항에 있어서,상기 소자 분리 패턴의 하면은 상기 확산 방지 패턴의 하면 보다 아래에 배치되는 반도체 소자
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12
제 9 항에 있어서,상기 확산 방지 패턴은 절연물질 또는 반도체 물질을 포함하는 반도체 소자
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복수의 소자부들 및 상기 소자부들 사이의 절단부를 포함하는 제 1 도전형의 반도체 기판을 준비하는 것;상기 반도체 기판에 이온 주입 공정을 수행하여, 상기 반도체 기판에 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형의 이온 주입 층을 형성하는 것;상기 이온 주입 층과 반도체 기판을 이방성 식각하여 제 1 트랜치를 형성하는 것;상기 제 1 트랜치 내에 확산 방지 패턴을 형성하는 것; 및상기 반도체 기판의 절단부를 식각하여 상기 반도체 기판을 복수 개의 소자들로 분리시키는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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14
제 13 항에 있어서,상기 확산 방지 패턴을 형성한 후, 상기 이온 주입 층을 식각하여 제 2 트랜치를 형성하는 것; 및상기 제 2 트랜치 내에 컨택 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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15
제 13 항에 있어서,상기 확산 방지 패턴을 형성한 후, 상기 이온 주입 층을 식각하여 상기 이온 주입 층을 관통하는 제 2 트랜치를 형성하는 것; 및상기 제 2 트랜치 내에 소자 분리 패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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16
제 13 항에 있어서,상기 확산 방지 패턴이 형성한 후, 상기 이온 주입 층에 열처리 공정을 수행하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 열처리 공정을 수행하는 것은, 상기 이온 주입 층에 포함되는 있는 불순물이 상기 반도체 기판으로 확산되어 상기 이온 주입 층의 하면이 상기 확산 방지 패턴의 하면과 같은 높이로 형성되는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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18
제 13 항에 있어서,상기 컨택 전극을 덮는 상부 전극을 형성하는 것; 및상기 반도체 기판의 하면 상에 하부 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 이온 주입 층을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판 상에 불순물 층을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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20
제 19 항에 있어서,상기 컨택 전극이 형성된 상기 이온 주입 층의 상면을 덮는 상부 전극을 형성하는 것;상기 불순물 층을 패터닝하여 상기 반도체 기판의 상면을 노출시키는 것; 및노출된 상기 반도체 기판 상에 하부 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 기판의 제조 방법
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