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이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치

  • 기술번호 : KST2015090513
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 나노 선들로 이루어진 그물망 형태의 그리드, 그리드의 일 측에 부착되되, 입사된 레이저 빔에 의해 이온을 발생시키는 이온 발생용 박막, 및 이온 발생용 박막으로부터 이온을 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 그리드의 나노 선으로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함한다. 나노 선으로 입사된 레이저 빔은 나노플라즈모닉스 현상에 의해 레이저 빔의 세기보다 증강된 근접장이 형성되고, 근접장에 의해 이온 발생용 박막으로부터 이온이 방출된다.
Int. CL A61N 5/10 (2006.01) A61N 5/067 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120043302 (2012.04.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0120215 (2013.11.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.02)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정문연 대한민국 대전 유성구
2 박형주 대한민국 경기 수원시 팔달구
3 표현봉 대한민국 대전 유성구
4 명남수 미국 경기 성남시 분당구
5 김승환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0330983-58
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033908-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0111889-11
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0002170-78
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0294768-78
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0643386-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0643385-35
10 등록결정서
Decision to grant
2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0642315-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 선들로 이루어진 그물망 형태의 그리드; 및상기 그리드의 일 측에 부착되되, 입사된 레이저 빔에 의해 이온을 발생시키는 이온 발생용 박막을 포함하는 이온 발생용 타깃
2 2
제 1항에 있어서,상기 이온은 양성자 또는 탄소 이온인 이온 발생용 타깃
3 3
제 2항에 있어서,상기 이온은 양성자이고, 상기 이온 발생용 박막은 수소를 함유하는 물질인 이온 발생용 타깃
4 4
제 3항에 있어서,상기 수소를 함유하는 물질은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 금속인 이온 발생용 타깃
5 5
제 2항에 있어서,상기 이온은 탄소 이온이고, 상기 이온 발생용 박막은 그래핀을 포함하는 물질인 이온 발생용 타깃
6 6
제 1항에 있어서,상기 그리드는 은, 구리, 금 또는 알루미늄을 포함하는 이온 발생용 타깃
7 7
제 1항에 있어서,상기 그리드는 수십~수백 나노미터의 선폭을 갖는 이온 발생용 타깃
8 8
제 1항에 있어서,상기 그리드의 외주를 둘러싸는 외곽 틀을 더 포함하되,상기 이온 발생용 박막은 상기 외곽 틀에 부착되는 이온 발생용 타깃
9 9
제 1항의 이온 발생용 타깃; 및상기 이온 발생용 박막으로부터 이온을 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 상기 그리드의 상기 나노 선으로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함하되,상기 나노 선으로 입사된 상기 레이저 빔은 나노플라즈모닉스 현상에 의해 근접장이 형성되고, 상기 근접장에 의해 상기 이온 발생용 박막으로부터 상기 이온이 방출되는 이온 빔 치료 장치
10 10
제 9항에 있어서,상기 그리드는 은, 구리, 금 또는 알루미늄을 포함하는 이온 빔 치료 장치
11 11
제 9항에 있어서,상기 그리드는 수십~수백 나노미터의 선폭을 갖는 이온 빔 치료 장치
12 12
제 9항에 있어서,상기 레이저는 상기 이온 발생용 박막에 대향하는 상기 그리드의 타 측에 배치되는 이온 빔 치료 장치
13 13
제 9항에 있어서,상기 레이저 빔은 펨토 초 레이저 빔인 이온 빔 치료 장치
14 14
제 9항에 있어서,상기 레이저 빔의 파장은 800~1,000 나노미터 범위인 이온 빔 치료 장치
15 15
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 정보통신산업원천기술개발사업 종양치료용 레이저 이온 가속 시스템 원천기술개발