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복수의 종들을 포함하는 가속된 고에너지 입자들과의 충돌에 의해 각각의 고유 파장을 갖는 광자들을 발생시키는 섬광체;상기 광자들을 평행하게 진행시키기 위한 평행 빔 전환부;평행하게 진행되는 상기 광자들이 일정한 각도로 입사되되, 상기 광자들을 각각의 상기 고유 파장에 따라 서로 다른 각도로 굴절시키는 회절격자 패널; 및상기 회절격자 패널로부터 서로 다른 각도로 굴절된 상기 광자들이 공간적으로 서로 분리되어 도달되는 위치들에 배치되되, 상기 광자들을 각각 검출하기 위한 복수의 감지부들을 포함하고,상기 섬광체는 상기 고에너지 입자들의 상기 복수의 종들에 각각 반응하는 복수의 섬광체 성분들을 포함하고, 상기 섬광체 성분들은 평면적으로 배열되되, 상기 섬광체 성분들 각각은 하나의 셀을 구성하는 고에너지 입자 분석 장치
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제 1항에 있어서,상기 회절격자 패널은 1 mm 당 500~2,000 개의 직선 패턴들이 서로 평행하게 배치된 회절격자를 포함하는 고에너지 입자 분석 장치
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제 2항에 있어서,상기 직선 패턴들은 금속 또는 절연 물질인 고에너지 입자 분석 장치
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제 1항에 있어서,상기 셀의 최대 폭은 수 ~ 수십 nm 범위를 갖는 고에너지 입자 분석 장치
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제 1항에 있어서,상기 셀은 반도체 가공 방식 또는 물질 증착 방법으로 형성되되, 상기 셀들은 규칙적인 배열을 갖는 고에너지 입자 분석 장치
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제 1항에 있어서,상기 셀은 소결 방법으로 형성되되, 상기 셀들은 불규칙한 배열을 갖는 고에너지 입자 분석 장치
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복수의 종들을 포함하는 가속된 고에너지 입자들을 섬광체에 충돌시켜 각각의 고유 파장을 갖는 복수의 종들의 광자들은 발생시키는 것;상기 광자들을 회절격자에 일정한 각도로 입사시켜 각각의 고유 파장에 따라 서로 다른 각도로 굴절시키는 것; 및상기 회절격자로부터 공간적으로 서로 다른 각도로 굴절되어 분리된 상기 광자들을 복수의 감지부들로 각각 검출하는 것을 포함하고,상기 섬광체는 상기 고에너지 입자들의 상기 복수의 종들에 각각 반응하는 복수의 섬광체 성분들을 포함하고, 상기 섬광체 성분들은 평면적으로 배열되되, 상기 섬광체 성분들 각각은 하나의 셀을 구성하는 고에너지 입자 분석 방법
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제 9항에 있어서,상기 복수의 감지부들은 각각의 광자를 검출하여 상기 가속된 고에너지 입자들의 개수 및 에너지를 정성적 및 정량적으로 분석하는 고에너지 입자 분석 방법
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제 9항에 있어서,상기 광자들을 상기 회절격자에 일정한 각도로 입사시키기 위해 상기 광자들을 평행하게 진행시키는 것을 더 포함하는 고에너지 입자 분석 방법
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제 9항에 있어서,상기 회절격자는 1 mm 당 500~2,000 개의 직선 패턴들이 서로 평행하게 배치된 형태인 고에너지 입자 분석 방법
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제 12항에 있어서,상기 직선 패턴들은 금속 또는 절연 물질인 고에너지 입자 분석 방법
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제 9항에 있어서,상기 셀의 최대 폭은 수 ~ 수십 nm 범위를 갖는 고에너지 입자 분석 방법
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제 9항에 있어서,상기 셀은 반도체 가공 방식 또는 물질 증착 방법으로 형성되되, 상기 셀들은 규칙적인 배열을 갖는 고에너지 입자 분석 방법
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제 9항에 있어서,상기 셀은 소결 방법으로 형성되되, 상기 셀들은 불규칙한 배열을 갖는 고에너지 입자 분석 방법
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