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신축성 전자 디바이스 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015090624
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신축성 전자 디바이스 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 제 1 기판 상에 코일 배선들을 형성하는 단계와, 상기 코일 배선을 덮는 제 1 신축 절연 층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 신축 절연 층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계와, 상기 코일 배선 및 상기 제 1 신축 절연 층으로부터 상기 제 1 기판을 분리하는 단계와, 상기 코일 배선 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 23/538 (2006.01) H05K 1/02 (2006.01) H05K 1/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120115432 (2012.10.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0049314 (2014.04.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬우 대한민국 대전 유성구
2 구재본 대한민국 대전 서구
3 임상철 대한민국 대전 유성구
4 오지영 대한민국 대전 중구
5 정순원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0844382-95
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033916-80
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
제 1 기판 상에 코일 배선들을 형성하는 단계;상기 코일 배선을 덮는 제 1 신축 절연 층을 형성하는 단계;상기 제 1 신축 절연 층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계;상기 코일 배선 및 상기 제 1 신축 절연 층으로부터 상기 제 1 기판을 분리하는 단계; 및상기 코일 배선 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 코일 배선의 형성 단계는, 상기 제 1 기판 상에 희생 층을 형성하는 단계;상기 희생 층 상에 제 1 배선들을 형성하는 단계;상기 제 1 배선들 상에 기둥 배선들을 형성하는 단계; 및상기 기둥 배선들 상에 제 2 배선들을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 희생 층은 포토레지스트, 폴리 실리콘, 실리콘 산화막, 또는 실리콘 질화막을 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 제 1 기판의 분리 단계는, 상기 희생 층을 제거하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 배선들의 형성 단계는,상기 희생 층 상에 제 1 씨드 층을 형성하는 단계;상기 제 1 씨드 층의 일부 상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 1 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 상기 제 1 씨드 층 상에 제 1 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 배선들의 형성 단계 후에 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 제 1 캡 배선 층은 전해 도금 방법으로 형성된 신축성 전자 디바이스의 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 기둥 배선들의 형성 단계는, 상기 제 1 캡 배선 층과 상기 제 1 씨드 층 상에 제 2 포토레지스트 패턴 층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 캡 배선 층 상에 기둥 배선을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제 2 배선의 형성 단계는,상기 기둥 배선 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴 상에 제 2 씨드 층을 형성하는 단계;상기 제 2 씨드 층의 일부에 제 3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 3 포토레지스트 패턴으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층 상에 제 2 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 코일 배선의 형성 단계는, 상기 제 3 포토 레지스트 패턴과, 상기 제 2 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제 2 씨드 층은 식각되는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 제 2 포토레지스트 패턴과 상기 제 1 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 1 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 씨드 층은 식각되는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 트랜지스터의 형성 후에, 제 2 신축성 절연 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
15 15
신축 절연 층;상기 신축 절연 층 내의 트랜지스터들; 및상기 트랜지스터들 사이에 지그재그로 연결되고 상기 신축 절연 층의 수축 또는 팽창에 의해 신축(stretched)되는 배선을 포함하는 신축성 전자 디바이스
16 16
제 15 항에 있어서,상기 신축 절연 층은 탄성 중합체를 포함하는 신축성 전자 디바이스
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 탄성 중합체는 피디엠에스(PDMS)를 포함하는 신축성 전자 디바이스
18 18
제 15 항에 있어서,상기 배선은 코일 배선을 포함하는 신축성 전자 디비이스
19 19
제 18 항에 있어서,상기 코일 배선은,제 1 배선; 상기 제 1 배선 상에 형성된 기둥 배선; 및상기 기둥 배선 상에 형성된 제 2 배선을 포함하는 신축성 전자 디바이스
20 20
제 16 항에 있어서,상기 제 1 배선은 제 1 씨드 층과 제 1 캡 배선 층을 포함하고, 상기 제 2 배선은 제 2 씨드 층과 제 2 캡 배선 층을 포함하는 신축성 전자 디바이스
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09040337 US 미국 FAMILY
2 US20140104793 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014104793 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9040337 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발