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제 1 기판 상에 코일 배선들을 형성하는 단계;상기 코일 배선을 덮는 제 1 신축 절연 층을 형성하는 단계;상기 제 1 신축 절연 층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계;상기 코일 배선 및 상기 제 1 신축 절연 층으로부터 상기 제 1 기판을 분리하는 단계; 및상기 코일 배선 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 코일 배선의 형성 단계는, 상기 제 1 기판 상에 희생 층을 형성하는 단계;상기 희생 층 상에 제 1 배선들을 형성하는 단계;상기 제 1 배선들 상에 기둥 배선들을 형성하는 단계; 및상기 기둥 배선들 상에 제 2 배선들을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 희생 층은 포토레지스트, 폴리 실리콘, 실리콘 산화막, 또는 실리콘 질화막을 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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4 |
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 기판의 분리 단계는, 상기 희생 층을 제거하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 배선들의 형성 단계는,상기 희생 층 상에 제 1 씨드 층을 형성하는 단계;상기 제 1 씨드 층의 일부 상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 1 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 상기 제 1 씨드 층 상에 제 1 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 배선들의 형성 단계 후에 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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7
제 5 항에 있어서,상기 제 1 캡 배선 층은 전해 도금 방법으로 형성된 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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8
제 5 항에 있어서,상기 기둥 배선들의 형성 단계는, 상기 제 1 캡 배선 층과 상기 제 1 씨드 층 상에 제 2 포토레지스트 패턴 층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 캡 배선 층 상에 기둥 배선을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 배선의 형성 단계는,상기 기둥 배선 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴 상에 제 2 씨드 층을 형성하는 단계;상기 제 2 씨드 층의 일부에 제 3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 3 포토레지스트 패턴으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층 상에 제 2 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 코일 배선의 형성 단계는, 상기 제 3 포토 레지스트 패턴과, 상기 제 2 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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11
제 10 항에 있어서,상기 제 2 씨드 층은 식각되는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 포토레지스트 패턴과 상기 제 1 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 1 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 씨드 층은 식각되는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 트랜지스터의 형성 후에, 제 2 신축성 절연 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법
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15
신축 절연 층;상기 신축 절연 층 내의 트랜지스터들; 및상기 트랜지스터들 사이에 지그재그로 연결되고 상기 신축 절연 층의 수축 또는 팽창에 의해 신축(stretched)되는 배선을 포함하는 신축성 전자 디바이스
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제 15 항에 있어서,상기 신축 절연 층은 탄성 중합체를 포함하는 신축성 전자 디바이스
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제 16 항에 있어서, 상기 탄성 중합체는 피디엠에스(PDMS)를 포함하는 신축성 전자 디바이스
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제 15 항에 있어서,상기 배선은 코일 배선을 포함하는 신축성 전자 디비이스
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제 18 항에 있어서,상기 코일 배선은,제 1 배선; 상기 제 1 배선 상에 형성된 기둥 배선; 및상기 기둥 배선 상에 형성된 제 2 배선을 포함하는 신축성 전자 디바이스
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20
제 16 항에 있어서,상기 제 1 배선은 제 1 씨드 층과 제 1 캡 배선 층을 포함하고, 상기 제 2 배선은 제 2 씨드 층과 제 2 캡 배선 층을 포함하는 신축성 전자 디바이스
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