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수직공진 표면방출 레이저 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015090647
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직공진 표면방출 레이저 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 레이저는 기판과, 상기 기판 상의 하부 반사 층과, 상기 하부 반사층 상의 활성 층과, 상기 활성 층의 제 1 측 상에 배치된 희생 층과, 상기 희생 층으로부터 이격되어 상기 활성 층의 상기 제 1측에 대향되는 제 2 측 상에 배치된 스토퍼와, 상기 희생 층 상에 고정되어 상기 스토퍼 및 상기 활성 층 상으로 연장되는 상부 반사 층을 포함한다. 상기 스토퍼는 상기 상부 반사 층과 상기 활성 층의 최소 이격 거리를 정의할 수 있다.
Int. CL H01S 5/183 (2015.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120103345 (2012.09.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1946035-0000 (2019.01.30)
공개번호/일자 10-2014-0036789 (2014.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20190425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.21)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송현우 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0755060-33
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033916-80
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0595509-16
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0091539-47
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0493563-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0934306-97
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0934307-32
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0856209-05
11 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5012007-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상의 하부 반사 층;상기 하부 반사층 상의 활성 층;상기 활성 층 상의 전류 스프레드 층;상기 전류 스프레드 층의 제 1 측 상에 배치된 희생 층;상기 희생 층으로부터 이격되어 상기 전류 스프레드 층의 상기 제 1 측에 대향되는 제 2 측 상에 배치된 스토퍼; 및상기 희생 층 상에 고정되어 상기 스토퍼 및 상기 전류 스프레드 층 상으로 연장하는 상부 반사 층을 포함하되,상기 상부 반사 층은:상기 희생 층 상의 고정 부;상기 고정 부에 연결되어 상기 제 1 측에서 상기 제 2 측으로 연장하는 스프링; 및 상기 스프링에 연결되고, 상기 전류 스프레드 층 상에서 상기 스토퍼로부터 분리된 멤브레인을 포함하되,상기 스토퍼는 상기 멤브레인과 상기 전류 스프레드 층 사이에 배치되어 상기 멤브레인과 상기 전류 스프레드 층의 최소 이격 거리를 정의하는 두께를 갖고,상기 전류 스프레드 층과 멤브레인 사이에에 배치된 바텀 블록과, 상기 바텀 블록을 덮는 캡핑 층을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 스프링은 적어도 한 개의 금속막, 금속 산화막 또는 이들의 조합을 더 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
4 4
제 1 항에 있어서,상기 멤브레인은 상기 스토퍼를 노출하는 홀을 갖는 수직공진 표면 방출 레이저
5 5
제 4 항에 있어서,상기 스토퍼는 상기 홀보다 큰 직경을 갖는 수직공진 표면방출 레이저
6 6
삭제
7 7
제 4 항에 있어서,상기 바텀 블록은 상기 홀과 동일한 모양을 갖는 수직공진 표면방출 레이저
8 8
제 1 항에 있어서,상기 바텀 블록은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
9 9
제 1 항에 있어서,상기 캡핑 층은 금속 산화막을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서,상기 하부 반사 층의 가장자리에 배치된 제 1 전극;상기 전류 스프레드 층의 가장자리에 배치된 제 2 전극; 및상기 상부 반사 층의 상기 고정부 상에 배치된 제 3 전극을 더 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
12 12
제 11 항에 있어서,상기 캡핑 층은 상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극 및 상기 제 3 전극을 덮는 수직공진 표면방출 레이저
13 13
제 12 항에 있어서,상기 제 2 전극과 상기 전류 스프레드 층 사이의 오믹 콘택 층을 더 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
14 14
제 1 항에 있어서,상기 하부 반사층과 상기 활성층 사이의 전류 감금 층을 더 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
15 15
제 1 항에 있어서,상기 희생 층은 상기 스토퍼보다 높은 수직공진 표면방출 레이저
16 16
기판 상에 하부 반사 층, 활성 층, 전류 스프레드 층, 희생 층 및 상부 반사 층을 적층하는 단계;상기 상부 반사 층, 상기 희생 층, 상기 전류 스프레드 층, 상기 활성 층의 가장자리를 제거하여 상기 하부 반사 층의 일부를 노출시키는 단계;상기 상부 반사 층을 고정 부, 스프링 및 멤브레인으로 패터닝하고, 상기 희생 층의 가장자리를 제거하여 상기 전류 스프레드 층의 일부를 노출시키는 단계;상기 하부 반사 층, 상기 전류 스프레드 층 및 상기 고정 부 상에 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 3 전극을 각각 형성하는 단계;상기 멤브레인에 홀을 형성하는 단계;상기 홀 아래의 희생층을 제거하는 단계;상기 홀에 의해 노출된 상기 전류 스프레드 층 상에 바텀 블록을 형성하는 단계;상기 스프링과 상기 전류 스프레드 층 사이에 및 상기 멤브레인과 상기 전류 스프레드 층 사이의 희생 층을 제거하는 단계; 및상기 바텀 블록 상에 캡핑 층을 형성하는 단계를 포함하는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 바텀 블록은 열증착 방법 또는 전자선 증착 방법으로 형성되는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 희생 층을 제거하는 단계는 불화황 및 염화실리콘 혼합 가스를 반응가스로 사용하는 건식 식각방법을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
19 19
제 17 항에 있어서,상기 희생 층은 암모니아수/과수/물의 혼합 용액을 식각액으로 습식식각방법에 의해 제거되는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
20 20
제 16 항에 있어서,상기 캡핑 층은 화학기상증착방법 또는 원자층 증착방법으로 형성되는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 종양치료용 레이저 이온 가속 시스템 원천 기술 개발