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박막 실리콘 태양전지

기술번호 : KST2015090704
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 일 실시예에 따른 박막 실리콘 태양전지는 제 1 광 흡수층, 상기 제 1 광 흡수층의 일면에 배치된 제 1 투명전극, 상기 제 1 투명전극을 덮는 제 1 투명기판, 상기 제 1 광 흡수층의 타면에 배치된 제 2 투명전극, 및 상기 제 2 투명전극을 덮는 제 2 투명기판을 포함하되, 상기 제 1 광 흡수층은 500Å 내지 2000Å두께를 갖는다.
Int. CL	H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/0725 (2012.01)
CPC
출원번호/일자	1020120112921 (2012.10.11)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0047751 (2014.04.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	임정욱	대한민국	대전 유성구
2	윤선진	대한민국	대전 유성구
3	이성현	대한민국	부산 남구
4	이다정	대한민국	경북 구미시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.10.11	수리 (Accepted)	1-1-2012-0826392-29
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2015-0033916-80
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 광 흡수층;상기 제 1 광 흡수층의 일면에 배치된 제 1 투명전극; 상기 제 1 투명전극을 덮는 제 1 투명기판;상기 제 1 광 흡수층의 타면에 배치된 제 2 투명전극; 및상기 제 2 투명전극을 덮는 제 2 투명기판을 포함하되,상기 제 1 광 흡수층은 500Å 내지 2000Å두께를 갖는 박막 실리콘 태양전지
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 광 흡수층은 비정질 실리콘층 또는 미세결정 실리콘층인 박막 실리콘 태양전지
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 광 흡수층은 실리콘-게르마늄, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 탄화물을 포함하는 박막 실리콘 태양전지
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극은 ITO, ZnO:Al, ZnO:Ga, 및 SnO2:F, 및 ZnO:B 중 어느 하나로 이루어진 박막 실리콘 태양전지
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 광 흡수층은 차례로 적층된 P층, I층, 및 N층을 포함하는 박막 실리콘 태양전지
6	6 제 5 항에 있어서,상기 I층은 상기 N층 및 상기 P층보다 두께가 두꺼운 박막 실리콘 태양전지
7	7 제 1 항에 있어서,상기 제 1 광 흡수층과 상기 제 2 투명전극 사이에 제 2 광 흡수층을 더 포함하는 박막 실리콘 태양전지
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 광 흡수층은 미세결정 실리콘 또는 미세결정 실리콘-게르마늄을 포함하는 박막 실리콘 태양전지
9	9 제 7 항에 있어서,상기 제 2 광 흡수층은 비정질 실리콘 또는 비정질 실리콘-게르마늄을 포함하는 박막 실리콘 태양전지
10	10 제 7 항에 있어서,상기 제 1 광 흡수층과 상기 제 2 광 흡수층은 서로 다른 에너지 갭을 갖는 박막 실리콘 태양전지
11	11 제 10 항에 있어서,상기 제 1 광 흡수층의 에너지 갭은 1
12	12 제 10 항에 있어서,상기 제 2 광 흡수층의 에어지 갭은 1
13	13 제 7 항에 있어서,상기 제 2 광 흡수층은 차례로 적층된 P층, I층, 및 N층을 포함하는 박막 실리콘 태양전지

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20140102521	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2014102521	US	미국	DOCDBFAMILY

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순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국전자통신연구원	에너지기술개발사업	선택적 투과막 및 이종접합창을 이용한 투과성 a-SiGe 투명 태양전지 개발

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.10.11	수리 (Accepted)	1-1-2012-0826392-29
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2015-0033916-80
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415124273
세부과제번호	20103020010040
연구과제명	선택적 투과막 및 이종접합창을 이용한 투과성 a-SiGe 투명 태양전지 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국에너지기술평가원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2012
연구기간	201006~201305
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020130127993]	태양전지	새창보기
[1020130021444]	박막 태양전지	새창보기
[1020120144271]	태양전지	새창보기
[1020120112921]	박막 실리콘 태양전지	새창보기

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