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광전 변환 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015090738
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전 변환 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 활성 층을 형성하는 단계와, 상기 활성 층의 상의 소스 전극과, 상기 소스 전극으로부터 이격되는 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 활성 층은 스프레이 방법 또는 액상 증착 방법으로 형성될 수 있다.
Int. CL G01N 21/64 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01)
CPC G01N 21/6486(2013.01) G01N 21/6486(2013.01) G01N 21/6486(2013.01) G01N 21/6486(2013.01)
출원번호/일자 1020120098931 (2012.09.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0032255 (2014.03.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김관수 대한민국 서울특별시 강서구
2 조정민 대한민국 부산 해운대구
3 송기봉 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0721691-92
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0433722-21
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0433124-38
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033916-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 활성 층을 형성하는 단계; 및상기 활성 층의 상의 소스 전극과, 상기 소스 전극으로부터 이격되는 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 활성 층은 스프레이 방법 또는 액상 증착 방법으로 형성되는 광전 변환 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 스프레이 방법 또는 상기 액상 증착 방법은 전구체 용액을 소스 용액으로 사용하는 광전 변환 소자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 전구체 용액은 CuCl2, InCl3 및 SeC(NH2)2의 혼합물, 또는 CuCl2, InCl3, GaCl3 및 SeC(NH2)2의 혼합물을 포함하는 광전 변환 소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 혼합물은 CuXInYSeZ (x, y=0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 활성 층의 형성 시에 상기 기판은 300도 내지 500도로 가열되는 광전 변환 소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 활성 층의 형성 후에 상기 활성 층을 셀레늄 또는 질소 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 광전 변환 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국전자통신연구원 신기술융합형 성장동력사업 생체진단가능 시각/미각 수용체 기반 센싱 기술 개발