| 1 |
1
기판에 적어도 하나의 트렌치에 의해 정의되는 미세 패턴을 형성하는 단계;상기 미세 패턴 상에 그래핀 용액을 도포하는 단계; 및상기 그래핀 용액에 접촉된 상기 미세 패턴 상에 그래핀 층을 선택적으로 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 용액은 카시 백스터 상태에 의해 상기 미세 패턴 상에 선택적으로 접촉되는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 카시 백스터 상태는 상기 그래핀 용액이 상기 트렌치 내에 침투되지 않고, 상기 미세 패턴 상부에 선택적으로 잔존하는 상태를 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 그래핀 층의 형성 후에 상기 그래핀 용액을 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 그래핀 용액은 증발, 건조 등의 수동적인 방법 또는 회전력, 관성력, 중력, 또는 기체 유동력을 포함하는 능동적인 방법에 의해 제거되는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 용액은 스프레이 방법, 스핀 코팅 방법, 또는 인쇄 방법에 의해 도포되는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 용액은 용매와, 상기 용매에 용해된 산화 그래핀 혹은 환원된 산화 그래핀을 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 용매는 물, PBS(Phosphate buffered saline), 글리세롤, 에탄올, 메탄올, 아세톤, 헥산, 벤젠 등 각종 유기 용매 또는 무기 용매의 일종을 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 그래핀 층은 산화그래핀(graphene oxide) 혹은 환원된 산화 그래핀(reduced grapheme oxide) 중 일종인 그래핀 패턴 형성방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 그래핀 층이 산화 그래핀(grapheme oxide)일 경우, 상기 산화 그래핀을 환원 산화 그래핀으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 그래핀 패턴 형성방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱, 유기 필름, 실리콘, 또는 유리를 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 미세 패턴은 상기 기판의 사출 성형 공정, 핫 엠보싱 공정, 나노 임프린트 공정, 주조 공정, 압연 공정, 단조 공정 또는 반도체 공정 중 적어도 하나에 의해 형성되는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴이 형성된 상기 기판을 표면 처리 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 기판의 표면 처리 공정은 산소, 또는 불화탄소를 이용한 플라즈마 처리 공정을 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 15 |
15
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 용액의 도포 단계에서 상기 기판은 상기 그래핀 용액 내에 침지되는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 16 |
16
제 1 항에 있어서,상기 기판을 용기 내에 투입하는 단계를 더 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서,상기 용기는 상기 기판을 둘러싸는 하우징 또는 패키지를 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 18 |
18
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴 상에 자기조립 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 19 |
19
제 18 항에 있어서,상기 자기조립 층은 단분자 층인 그래핀 패턴의 형성방법
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 단분자 층은 싸이올 군, 실렌 군, 카르복실 군, 하이드록실 군, 메틸 군, 포스포네이트 군, 아민 군 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 패턴의 형성방법
|
