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관통 홀을 갖는 지지 기판;상기 지지 기판의 일면 상에 제공된 제 1 그래핀층;상기 관통 홀 부위의 상기 제 1 그래핀층 상에 제공되되, 입사되는 레이저 빔에 의해 양성자를 발생시키는 액체 상태 수소 액적; 및상기 액체 상태 수소 액적이 증발되지 않게 둘러싸도록, 상기 제 1 그래핀층 상에 제공된 제 2 그래핀층을 포함하는 양성자 발생용 타깃
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제 1항에 있어서,상기 관통 홀은 상기 레이저 빔의 진행 경로로 사용되는 양성자 발생용 타깃
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제 1항에 있어서,상기 관통 홀은 상기 제 1 그래핀층으로부터 멀어질수록 점진적으로 넓어지는 폭을 갖는 양성자 발생용 타깃
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제 1항에 있어서,상기 관통 홀 측의 상기 제 1 그래핀층 상에 제공되는 금속 나노 입자를 더 포함하는 양성자 발생용 타깃
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제 3항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 금, 은, 구리 또는 알루미늄을 포함하는 양성자 발생용 타깃
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제 1항에 있어서,상기 액체 상태 수소 액적은 수 나노리터에서 수 마이크로리터 범위의 부피를 갖는 양성자 발생용 타깃
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제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 그래핀층들 각각은 단일에서 수십 원자층으로 이루어진 양성자 발생용 타깃
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관통 홀을 갖는 지지 기판의 일면 상에 제 1 그래핀층을 형성하는 단계;상기 관통 홀 부위의 상기 제 1 그래핀층 상에 고체 상태 수소 액적을 제공하는 단계; 및상기 제 1 그래핀층 상에 상기 고체 상태 수소 액적을 둘러싸도록 제 2 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 고체 상태 수소 액적은 액체 상태 수소 액적으로 바뀌고,상기 액체 상태 수소 액적은 입사되는 레이저 빔에 의해 양성자를 발생시키는 양성자 발생용 타깃의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 관통 홀은 상기 제 1 그래핀층으로부터 멀어질수록 점진적으로 넓어지는 폭을 갖는 양성자 발생용 타깃의 제조 방법
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10
제 8항에 있어서,상기 관통 홀 측의 상기 제 1 그래핀층 상에 금속 나노 입자를 형성하는 단계를 더 포함하는 양성자 발생용 타깃의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 금, 은, 구리 또는 알루미늄을 포함하는 양성자 발생용 타깃의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 고체 상태 수소 액적은 수 나노리터에서 수 마이크로리터 범위의 부피를 갖는 양성자 발생용 타깃의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 그래핀층들 각각은 단일에서 수십 원자층으로 이루어진 양성자 발생용 타깃의 제조 방법
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제 1항의 양성자 발생용 타깃; 및상기 수소 액적으로부터 양성자를 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 상기 수소 액적으로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함하는 이온 빔 치료 장치
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제 14항에 있어서,상기 레이저는 상기 제 1 그래핀층에 대향하는 상기 지지 기판의 타 측에 배치되는 이온 빔 치료 장치
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제 14항에 있어서,상기 레이저 빔은 펨토초 레이저 빔인 이온 빔 치료 장치
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제 14항에 있어서,상기 레이저 빔의 파장은 800~1,000 나노미터 범위인 이온 빔 치료 장치
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제 14항에 있어서,상기 관통 홀 측의 상기 제 1 그래핀층 상에 제공되는 금속 나노 입자를 더 포함하고,상기 금속 나노 입자로 입사된 상기 레이저 빔은 표면 플라즈몬 공명을 형성하고, 상기 표면 플라즈몬 공명에 의해 상기 레이지 빔의 세기보다 증강된 근접장이 형성되고, 상기 근접장에 의해 상기 액체 상태 수소 액적으로부터 상기 양성자가 방출되는 이온 빔 치료 장치
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제 18항의 있어서,상기 근접장의 세기는 상기 레이저 빔의 세기보다 수십~수만 배인 이온 빔 치료 장치
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제 14항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 금, 은, 구리 또는 알루미늄을 포함하는 이온 빔 치료 장치
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